Investigation and Failure Mode of Asymmetric and Double Trench SiC MOSFETs Under Avalanche Conditions
点击次数:发表时间:2020-07-08
- 发表刊物:IEEE Transactions on Power Electronics
- 第一作者:Xiaochuan Deng
- 文献类型:M
- 卷号:35
- 期号:8
- 页面范围:8524-8531
- 是否译文:否
- 发表时间:2020-07-08
+
论文成果
个人信息
- 性别:男
- 职称:教授
- 毕业院校:电子科技大学
- 学历:博士研究生毕业
- 学位:工学博士学位
- 所在单位:集成电路科学与工程学院(示范性微电子学院)
- 学科: 微电子学与固体电子学
其他联系方式
- 邮箱: