Characterization and Fabrication of the CFM‑JTE for 4H‑SiC Power Device with High‑Efficiency Protection and Increased JTE Dose Tolerance Window
点击次数：发表时间：2020-07-08
- 发表刊物：Nanoscale Research Letters
- 通讯作者：Xiaochuan Deng
- 卷号：15
- 页面范围：211
- 是否译文：否
- 发表时间：2020-10-01
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论文成果
个人信息
- 性别：男
- 职称：教授
- 毕业院校：电子科技大学
- 学历：博士研究生毕业
- 学位：工学博士学位
- 所在单位：集成电路科学与工程学院（示范性微电子学院）
- 学科： 微电子学与固体电子学
其他联系方式
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