杜江锋

Professor

Gender:Male

Alma Mater:电子科技大学

Education Level:With Certificate of Graduation for Doctorate Study

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[1] [32] 杜江锋, 李振超, 刘东, 白智元, 于奇，李述洲. 半导体结构、半导体组件及功率半导体器件，PCT国际发明专利，国际申请号：PCT/CN2016/095675，国际申请日：2016.08.17
[2] [31] 杜江锋,刘东,白智元,潘沛霖,于奇. 电荷补偿耐压结构垂直氮化镓基异质结场效应管, 中国发明专利, 申请日期：2015.07.14，授权号：ZL201510410936.6, 授权日期：2018.0615
[3] [30] 杜江锋, 陈南庭,潘沛霖，于奇. 具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管. 中国发明专利, 申请日期：2014.09.05，授权号：ZL201410454183.4，授权日期：2018.04.20
[4] [29] 杜江锋, 潘沛霖,等. 一种具有复合栅介质层的氮化镓基异质结场效应晶体管. 中国发明专利, 申请日期：2014.10.11，授权号：ZL201410534795.4，授权日期：2018.01.12
[5] [28] 杜江锋, 潘沛霖, 陈南庭, 于奇. 一种氮化镓基增强型异质结场效应晶体管. 中国发明专利, 申请日期：2014.08.27，授权号：ZL201410427708.5，授权日期：2017.11.14
[6] [27] 杜江锋, 陈南庭，潘沛霖，于奇. 一种具有复合钝化层结构的场效应晶体管. 中国发明专利, 申请日期：2014.09.10，授权号：ZL201410457922.5，授权日期：2017.10.17
[7] [26] 杜江锋, 陈南庭,潘沛霖,于奇. 一种具有电偶极层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管. 中国发明专利, 申请日期：2014.08.27，授权号：ZL201410427468.9，授权日期：2017.07.28
[8] [25] 杜江锋, 潘沛霖等. 具有埋栅结构的氮化镓基增强耗尽型异质结场效应晶体管. 中国发明专利,申请日期：2014.08.29，授权号：ZL201410433662.8，授权日期：2017.05.10
[9] [24] 杜江锋, 赵子奇等. 一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，中国发明专利, 申请日期：2013.01.04，授权号：ZL201310000143.8，授权日期：2017.05.10
[10] [23] 杜江锋, 严慧等. 一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管, 中国发明专利, 申请日期：2013.08.21，授权号：ZL201310364505.1，授权日期：2017.04.19

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