个人信息
教师姓名：杜江锋
教师拼音名称：Du Jiangfeng
电子邮箱：jfdu@uestc.edu.cn
所在单位：集成电路科学与工程学院（示范性微电子学院）
职务：Professor
学历：博士研究生毕业
办公地点：电子科技大学清水河校区成电国际创新中心A410
性别：男
联系方式：028-83208233(Office)
学位：工学博士学位
职称：教授
在职信息：在岗
毕业院校：电子科技大学
博士生导师
-
学科：微电子学与固体电子学
电子与信息
集成电路工程
其他联系方式
暂无内容
科研项目
- [1] 装备预先研究项目：XXXXXX 失效机理及评价技术研究主持（31512050304），主持，2017-2019
- [2] 国家自然科学基金面上项目（项目编号：61376078），主持，2014.01-2017.12
- [3] 总装备部125预研项目：新型GaN XXXXXX 研究(51308030406)，主持，2011.01-2015.12
- [4] 总装备部115预研项目：GaN XXXXXX 关键技术研究(51308030101)，主持，2006.01-2010.12
- [5] 国家重大基础安全研究（973）项目子专题：GaN XXXXXX 研究(51327010202)，主持, 2004.01-2008.12
著作成果
专利
- [1] 杜江锋, 李振超, 刘东, 白智元, 于奇，李述洲. 半导体结构、半导体组件及功率半导体器件，PCT国际发明专利， 国际申请号：PCT/CN2016/095675，国际申请日：2016.08.17
- [2] 杜江锋,刘东,白智元,潘沛霖,于奇. 电荷补偿耐压结构垂直氮化镓基异质结场效应管, 中国发明专利, 申请日期：2015.07.14，授权号：ZL201510410936.6, 授权日期：2018.0615
- [3] 杜江锋, 陈南庭,潘沛霖，于奇. 具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管. 中国发明专利, 申请日期：2014.09.05，授权号：ZL201410454183.4，授权日期：2018.04.20
- [4] 杜江锋, 潘沛霖,等. 一种具有复合栅介质层的氮化镓基异质结场效应晶体管. 中国发明专利, 申请日期：2014.10.11，授权号：ZL201410534795.4，授权日期：2018.01.12
- [5] 杜江锋, 潘沛霖, 陈南庭, 于奇. 一种氮化镓基增强型异质结场效应晶体管. 中国发明专利, 申请日期：2014.08.27，授权号：ZL201410427708.5，授权日期：2017.11.14
论文成果
- [1] Zhiyuan Bai, Jiangfeng Du*, Hao Wang, Xiaoyun Li, Qi Yu. "Simulation Design of High Baliga’s Figure of Merit Normally-off P-GaN gate AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors with Junction Field Plates", Superlattices and Microstructures, 123:257-266 (2018) . (SCI)
- [2] Zhiyuan Bai, Jiangfeng Du*, Qi Xin, Ruonan Li, Qi Yu. "Numerical Analysis of Reverse Blocking Enhancement in High-K Passivation AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode with Gated Edge Termination", Superlattices and Microstructures, 114:143-153 (2018) . (SCI)
- [3] Jiangfeng Du*, Zhiguang Jiang, Zhiyuan Bai, Peilin Pan, Qi Yu. "Design and simulation of high breakdown voltage AlGaN/GaN HEMTs with a charged passivation layer for microwave power applications", J. Comput. Electron. , 16: 741-747, (2017). (SCI)
- [4] Zhiyuan Bai, Jiangfeng Du*, Zhiguang Jiang, Qi Yu."Design of high performance normally-off dual junction gate AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors for high voltage application", J. Comput. Electron. , 16: 748-755, (2017). (SCI)
- [5] Jiangfeng Du*, Zhenchao Li, Dong Liu, Zhiyuan Bai, Yang Liu, Qi Yu. "Design of high breakdown voltage vertical GaN p-n diodes with high-K/low-K compound dielectric structure for power electronics applications", Superlattices and Microstructures, 111:302-309 (2017) . (SCI)
研究领域
研究方向1：宽禁带GaN微波毫米波功率器件及MMIC
--- 微波功率GaN HEMT器件理论、工艺、测试和MMIC技术。
--- 毫米波AlGaN/GaN HEMT、InAlN/GaN HEMT。研究方向2：新型GaN电力电子器件及功率集成技术
--- 高耐压AlGaN/GaN HFET理论建模、新结构优化设计和工艺实验。
--- 高压大电流GaN基功率器件参数提取和模块化。研究方向3：SiC高温压力传感器可靠性
--- SiC压力传感器的结构优化设计和环境应力仿真研究。
--- SiC压力传感器的失效机理分析和可靠性评价技术。
