学位：工学博士学位
职称：副教授
所在单位：电子科学与工程学院I. Meric, C. R. Dean, A. F. Young, J. Hone, P. Kim, K. L. Shepard
Graphene field-effect transistors are fabricated utilizing single-crystal hexagonal boron nitride (h-BN), an insulating isomorph of graphene, as the gate dielectric. The devices exhibit mobility values exceeding 10,000 cm2/V-sec and current saturation down to 500 nm channel lengths with intrinsic transconductance values above 400 mS/mm. The work demonstrates the favorable properties of using h-BN as a gate dielectric for graphene FETs.
Source: arxiv.org
作为课题负责人或主研人员参与了国家自然科学基金、国家科技重大专项、973项目、英国工程与自然科学基金（EPSRC）项目等多个项目。主要研究方向包括：微波集成电路、先进电子材料与器件、相控阵技术与应用等。
在IEEE Trans. on MTT、IEE Proc. SMT、Journal of Optics等国内外期刊和会议上发表论文一百余篇；担任多个国际学术会议技术委员会委员；担任国家自然科学基金同行评议专家；担任国际无线电科学联盟（URSI）年度奖评审专家。
招收研究生专业：
080904电磁场与微波技术
01方向：微波理论
02方向：微波毫米波电路与系统
08方向：微波集成电路
办公室地址 : 8ed4807c00cc12469fcbf79b86e8e5c9d9ba0dff7380c64968068a4720ca28320cd31edee21bc329a86f11281ab14d0a584502269a3dceadc12b6dfadb058931310150efc90f5e1eb02be876dd8e7b7c3ab0a860157d4987604e959d9332fe79c25988e1c946a940c1ec52cf003fb2da404c0a801e442496fe8e93a9235088ff
