黄海猛 (讲师)

讲师

性别:男

毕业院校:电子科技大学

学历:博士研究生毕业

学位:工学博士学位

在职信息:在岗

所在单位:电子科学与工程学院(示范性微电子学院)

入职时间:2013-07-05

办公地点:211楼1楼107

联系方式:028-83201919

电子邮箱:

   

个人简介

教育经历

  • 2009.09-2013.06

    电子科技大学 | 微电子学与固体电子学 | 博士 (导师-陈星弼院士)

  • 2007.09-2009.06

    电子科技大学 | 微电子学与固体电子学 | 硕士 (导师-陈星弼院士)


工作经历

  • 2013.07-至今

    电子科技大学电子科学与工程学院(示范性微电子学院) | 微电子学与固体电子学 | 讲师


科      研

  •  作为负责人主持国家自然科学基金项目一项;

  •  作为负责人主持中央高校基本科研业务费项目一项;

  •  参与国家自然科学基金重点项目一项、参与教育部高校博导类课题项目一项;

  •  担任IEEE Transactions on Electron Devices等期刊的审稿人。


教      学

  • 曾担任《半导体物理》、《信号与系统》、《微电子器件》、《电介质物理》等课程助教;

  • 承担2015级、2016级微电子科学与工程本科专业《半导体物理A》课程的教学工作,2015级评教优秀(94.2),2016级评教为五星。教学中关心学生、热爱学生,注重与学生互动,深受学生喜爱;

  •  201712月微电子与固体电子学院"卓越青年教师成长计划"赛课中获得“教学进步奖”;

  •  2018年12月电子科学与工程学院"卓越青年教师成长计划"赛课中获得“教学优秀奖”。


研究领域

  • 主要研究新型功率器件和功率集成电路,包括超级结(superjunction)器件、IGBT、MCT、LDMOS等


学术成果

  • 部分学术成果

  • Jun. Huang, Haimeng Huang and Xingbi Chen, "Simulation Study of a Low ON-State Voltage Superjunction IGBT With Self-Biased PMOS," IEEE Transactions on Electron Devices. doi: 10.1109/TED.2019.2917261

  • Junji Cheng, Weizhen Chen, Jingjie Lin, Ping Li, Bo Yi, Haimeng Huang, Xingbi Chen, "Potential of Utilizing High-k Film to Improve the Cost Performance of Trench LDMOS," IEEE Transactions on Electron Devices.doi: 10.1109/TED.2019.2913780

  • Jun. Huang, Haimeng Huang and Xingbi Chen, "Simulation Study of a Low ON-State Voltage and Saturation Current TCIGBT With Diodes," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 66, no. 3, pp. 1617-1620, March 2019.

  • Lin, Jingjie, Junji Cheng, Ping Li, Weizhen Chen, and Haimeng Huang. "Study on SrTiO3 film for the application of power devices." Superlattices and Microstructures 130 (2019): 168-174.

  • Yi, Bo, Hao Hu, Jia Lin, Junji Cheng, Haimeng Huang, and MouFu Kong. "SiC trench MOSFET with integrated side-wall schottky barrier diode having P+ electric field shield." IEICE Electronics Express (2019): 16-20181135.

  • Bo Yi, Moufu Kong, Jingjie Lin, Junji Cheng, Haimeng Huang and Xingbi Chen, "A 600-V Super-Junction pLDMOS Utilizing Electron Current to Enhance Current Capability," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 66, no. 5, pp. 2314-2320, May 2019.

  • Huan Hu, Haimeng Huang and Xingbi Chen, “A novel double-RESURF SOI lateral TIGBT with self-biased nMOS for improved VCE(sat)–Eoff tradeoff relationship,” IEEE Trans. Electron Devices, vol, 66, no.1, pp.814-820, 2019. 

  • Jun Huang, Haimeng Huang, Xinjiang Lyu and Xingbi Chen, “Simulation study of a low switching lossFD-IGBT with high dI/dt and dV/dt controllability,” IEEE Trans. Electron Devices, vol, 65, no.12, pp.5545-5548, 2018. 

  • Songnan Guo, Haimeng Huang and Xingbi Chen, “Study of the SOI LDMOS with low conduction loss and less gate charge,” IEEE Trans. Electron Devices, vol, 65, no.4, pp.1645-1649, 2018. 

  • Zhi LinHaimeng Huang and Xingbi Chen, “An improved super-junction structure with variation vertical doping profile,” IEEE Trans. Electron Devices, vol, 62, no.1, pp.228-231, 2015. 

  • Haimeng Huang and Xingbi Chen, “Optimization of specific on-resistance of semisuperjunction trench MOSFETs with charge balance,” IEEE Trans. Electron Devices, vol, 60, no.3, pp.1195-1201, 2013. 

  • Haimeng Huang and Xingbi Chen, “Optimization of specific on-resistance of balanced symmetric superjunction MOSFETs based on a better approximation of ionization integral,” IEEE Trans. Electron Devices, vol, 59, no.10, pp.2742-2747, 2012. 


学生培养

  • 协助指导多名博士研究生及硕士研究生,指导多名本科生毕业设计。