金立川，电子科技大学教授，博士生导师，IEEE会员，科技部“通信应用单晶材料”国际科技合作基地骨干成员，“111”创新引智基地骨干成员，四川省学术与技术带头人后备人选，电子科技大学校百人。担任SCI期刊《Frontiers in Materials》副主编，《磁性材料及器件》期刊青年编委。研究聚焦自旋电子材料与器件领域，面向“后摩尔”时代自旋（波）电子器件和高密度磁存储器的重大需求，致力于开发新型低耗散磁单晶薄膜与磁子信息器件，针对自旋轨道矩-MRAM存储器芯片写入功耗高的瓶颈问题，发展了MRAM存储器用巨自旋霍尔薄膜材料新体系，将信息写入电流密度降低了一个数量级，研究成果服务于磁量子信息、非易失磁随机存储器及自旋逻辑器件等领域。在国际知名学术期刊Advanced Functional Materials、Advanced Science、Advanced Electronic Materials、Applied Physics Letters、Physical Review B等发表SCI论文100余篇，主研/主持包括科技部重点研发计划、国家重大科研仪器项目、自然基金面上项目、装发预研、省部级项目，已授权中、美发明专利50余件，获得四川省科技进步一等奖、国防技术发明一等奖、国家教学成果二等奖等。

主要研究兴趣包括：

1.磁子单晶薄膜与新型信息器件

磁子作为一种玻色子，为自旋波的量子化基元，传输过程中具有无焦耳热、低功耗、极宽频等特点。磁子晶体管以磁子流取代电荷流作为信息载体，是后摩尔时代一类关键玻色子信息器件，有望应用于低功耗信息传输、存储与逻辑运算等领域。我们探索并发展了基于YIG单晶薄膜的磁子集成器件，提出了自旋波传输的声子调控新方法，实现了兼具信息放大、关断和移相功能的自旋波晶体管器件（Adv. Funct. Mater. 2022, 2203963）；针对太赫兹磁子信息器件前沿问题，提出了反铁磁晶格缺陷调控的太赫兹自旋电子器件，实现了0.5-3THz的超快自旋信号源（Small Structures 2023, 2300076）；发展了YIG薄膜表面金属化方法，提高低波矢自旋波的传输效率，获得创纪录的自旋波群速度（Adv. Electron. Mater. 2022, 202201061）等。研究成果在权威期刊Adv. Funct. Mater.、Small Struct.、Adv. Electron. Mater.、Phys. Rev. B等上发表。

2.MRAM存储器用巨自旋霍尔角薄膜与器件

基于自旋轨道力矩（SOT）效应的新型磁随机存储器（MRAM）、存算一体器件受到国际广泛关注。SOT器件的功耗依赖于材料的“自旋流-电荷流”转换效率（自旋霍尔角）。目前，开发兼具高自旋霍尔角和低电阻率的薄膜材料仍是领域难点，我们提出和发明了巨自旋霍尔W/TaOx、Pt(TiO2)、Pt1-x(SrTiO3)x、PtBi、PtSn等系列薄膜新材料，实现了室温下巨大自旋霍尔角1.6（国际领先），将信息写入所需的电流密度降低约30倍（较纯Pt），SOT效率提升了1个数量级。新材料兼具巨自旋霍尔角、极低电阻率和良好的CMOS工艺兼容性，有效解决了SOT-MRAM芯片写入功耗高的瓶颈材料难题。