钱凌轩，教授/博士生导师。2014年毕业于香港大学电机电子工程（EEE）系，获微电子方向博士学位（PhD），同年加入电子科技大学/电子薄膜与集成器件全国重点实验室，长期从事新型半导体器件与工艺研究。目前研究方向主要包括：1）氧化镓（第四代半导体）功率器件与工艺；2）基于高K栅介质的新型MOSFET构筑；3）金属氧化物半导体薄膜晶体管。2006至2009年，曾就职于中芯国际，任工艺整合部（PIE）代理项目经理，全程负责中国第一条12英寸65 nm逻辑集成电路的工艺研发和器件调控。迄今，在IEEE Electron Dev. Lett.、IEEE Trans. Electron Dev.、Appl. Phys. Lett.等领域权威期刊上发表SCI论文30余篇；合作撰写专著/教材2部；申请/授权中国发明专利10余项；主持国家/省部级科研项目多项。2025年起，负责管理国家集成电路产教融合创新平台（电子科技大学），具有国内一流的微电子器件设计、制造与封装测试条件。

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