王泽恒

性别 : 男

毕业院校 : 电子科技大学

学历 : 硕士研究生毕业

学位 : 工程硕士专业学位

在职信息 : 在岗

所在单位 : 信息与软件工程学院(示范性软件学院)

入职时间 : 2018-09-01

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个人简介Personal Profile

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【实验室简介】

电子科技大学信息与软件工程学院应用信息电子与智能计算课题组由姚远哲博士领衔,与中山大学、哈尔滨工业大学、清华大学、新加坡国立大学电机工程系、新南威尔士大学医学院等国内外著名高校有合作关系。课题组共有固定研发人员6名,其中2人具有博士学位,在读博士一人,在读硕士生3人,专业涵盖计算机科学、生命科学、应用数学、集成电路工程、通信与信号处理、医学等领域,具有明显的学科交叉背景。课题组拥有高性能计算工作站一台,高配置计算机多台。近年来,课题组承担了国家级项目/课题多项,其中成功结题国家自然科学基金面上项目“社团发现的图挖掘算法及其并行化以及应用研究”(批准号:61370202)一项,在研国家重点研发计划“支持多种模式运营的国家高性能计算环境运行管理支撑平台建设”(批准号:2016YFB0201403)子课题一项,总经费达一百余万元。团队正在联合中山大学与新加坡国立大学申请国家重点研发计划专项与科技厅合作项目。


【项目简介】

项目依托在研国家重点研发计划子课题与省科技厅项目预研课题,以期利用人工智能在医疗信息化、微电子科学计算等领域继续突破。其中:

1)医疗信息化方向

目前药物开发是医学研究的重点热点方向之一。为了开发更有效、副作用更低的药物,许多新兴概念或方法如靶向药物疗法因其能有效针对治疗目标并减少对其他组织的刺激而获得了广泛关注。在这一领域,大量的工作集中于药物结构设计或给药载体(如多层带受体的纳米球颗粒)制备,并已取得了瞩目成就。然而如何预测所开发药物在大面积人群中的统计意义上的药理学反应的研究相对较少。目前,本团队致力于利用人工智能技术开发药物副作用预测的新方法、新思路。即利用信息论等结构化思想,应用人工神经网络学习已知药物临床效果与副作用产生的内在规律,系统地总结可能导致严重副作用的生化、环境、体质等因素,进而对药物副作用进行更加有效的预测。

2)微电子科学计算方向

随着摩尔定律逐渐逼近极限,英特尔CPU内部微电子器件的特征尺寸已由上几代的45nm缩减到现今主流的22nm、14nm,甚至是7nm(其他公司也有10nm节点)。面对如此小的尺寸,许多在宏观世界不会发生的物理机理如量子隧穿效应变得不可忽视。而由隧穿现象带来的漏电流增加更会导致剧烈的发热以及可靠性降低等负面影响。为了更好的解决这一问题,对微电子器件进行新结构设计并流片制备是重要手段,然而随着特征尺寸减小到10nm以下(单个商用CPU集成度达到数十亿个晶体管级别)每批次流片需要的成本已上涨到数百万美元,除此之外仅一台极紫外光刻机设备需花费数亿美元成本购买调试与维护。因此利用数值计算工具有效地准确地联立求解薛定谔方程、泊松方程、电流连续性方程与载流子输运方程是微电子与集成电路研究的新兴热点,能极大地降低芯片制备成本,有效推动集成电路产业进步。本团队即致力于利用人工智能技术,提高微电子器件仿真精确度,并组建微电子器件设计自动化平台以解决目前业界亟待解决的重点问题——纳米/深亚微米器件设计制备。


【待遇】

1)本科培养同学根据工作量可享受等同电子科技大学在读硕士生的生活补贴;硕士联培同学在国家与原单位补贴基础上再享受等同本校研究生生活补贴。

2)”学科交叉+科研预备“培养模式:面向发表SCI论文的科研训练。

3)有往他处深造意向的同学可向海内外合作高校如中山大学、清华大学、哈尔滨工业大学、新南威尔士大学等推荐。

4)特别优秀者(仅以科研成果评估)可推荐至新加坡国立大学电机工程系合作教授(IEEE Fellow)处授予全额奖学金直接攻读博士学位(需满足NUS博士录取最低要求与通过学校层面面试)。


Paper published (seleted)

Z. Wang, D. Yang,  J. Cao, F. Wang, Y. Yao, A Novel Technology for Turn-On Voltage Reduction of High-Performance Lateral Heterojunction Diode with Source-Gate Shorted Anode, Superlattices Microstruct. (2019), In press.

Z. Wang, J. Cao, F. Wang, W. Chen, B. Zhang, S. Guo, Y. Yao, Proposal of a novel enhancement type AlGaN/GaN HEMT using recess-free field coupled gate, Superlattices Microstruct. 122 (2018) 343–348. doi:10.1016/j.spmi.2018.07.016.

Z. Wang, J. Cao, R. Sun, F. Wang, Y. Yao, Numerical investigation on AlGaN/GaN short channel HEMT with AlGaN/InGaN/AlGaN quantum well plate, Superlattices Microstruct. 120 (2018) 753–758. doi:10.1016/j.spmi.2018.06.045.

Z. Wang, W. Chen, F. Wang, J. Cao, R. Sun, K. Ren, Y. Luo, S. Guo, Z. Wang, X. Jin, L. Yang, B. Zhang, Simulation study on AlGaN/GaN diode with Γ-shaped anode for ultra-low turn-on voltage, Superlattices Microstruct. 117 (2018) 330–335. doi:10.1016/j.spmi.2018.03.063.

Z. Wang, F. Wang, S. Guo, Z. Wang, Simulation study of high-reverse blocking AlGaN/GaN power rectifier with an integrated lateral composite buffer diode, Micro Nano Lett. 12 (2017) 660–663. doi:10.1049/mnl.2017.0057.

Y.C. Liang, K. Ren, S.J. Chua, Z. Wang, X. Gong, PS-3-08 High Sensitivity Hall-Effect Sensor on the AlGaN / GaN Fin-HEMT Structure, (2018) 939–940.

F. Wang, W. Chen, Z. Wang, R. Sun, J. Wei, X. Li, Y. Shi, X. Jin, X. Xu, N. Chen, Q. Zhou, B. Zhang, Simulation design of uniform low turn-on voltage and high reverse blocking AlGaN/GaN power field effect rectifier with trench heterojunction anode, Superlattices Microstruct. 105 (2017) 132–138. doi:10.1016/j.spmi.2017.03.029.

R. Zhu, Q. Zhou, A. Zhang, Y. Shi, Z. Wang, L. Liu, B. Chen, Y. Jin, W. Chen, B. Zhang, High performance normally-off Al2O3/GaN MOSFETs with record high threshold voltage by interface charge engineering, 2016 13th IEEE Int. Conf. Solid-State Integr. Circuit Technol. ICSICT 2016 - Proc. (2017) 1038–1040. doi:10.1109/ICSICT.2016.7998643.

Y. Yang, Q. Zhou, Y. Shi, Z. Wang, L. Liu, K. Hu, R. Zhu, W. Chen, B. Zhang, 0.3 VT/1.1 kV AlGaN/GaN lateral power diode with MIS-gated hybrid anode on silicon substrate, 2016 13th IEEE Int. Conf. Solid-State Integr. Circuit Technol. ICSICT 2016 - Proc. (2017) 1041–1043. doi:10.1109/ICSICT.2016.7998644.

Q. Zhou, L. Liu, A. Zhang, B. Chen, Y. Jin, Y. Shi, Z. Wang, W. Chen, B. Zhang, 7.6V threshold voltage high-performance normally-off Al2O3/GaN MOSFET achieved by interface charge engineering, IEEE Electron Device Lett. 37 (2016) 165–168. doi:10.1109/LED.2015.2511026.

Q. Zhou, Z.H. Wang, X.Y. Zhou, A.B. Zhang, Y.Y. Shi, L. Liu, Y.G. Wang, Y.L. Fang, Y.J. Lv, Z.H. Feng, B. Zhang, Physics of dynamic threshold voltage and steep subthreshold swing in Al2O3-InAlN-GaN MOSHEMTs, Semicond. Sci. Technol. 31 (2016). doi:10.1088/0268-1242/31/3/035005.

Z. Wang, B. Zhang, Q. Zhou, Y. Fang, X. Zhou, Y. Shi, Y. Lv, Z. Feng, L. Liu, Y.G. Wang, A. Zhang, Lateral AlGaN/GaN diode with MIS-gated hybrid anode for high-sensitivity zero-bias microwave detection, Electron. Lett. 51 (2015) 1889–1891. doi:10.1049/el.2015.2885.

Q. Zhou, A. Zhang, R. Zhu, Y. Shi, Z. Wang, L. Liu, B. Chen, Y. Jin, W. Chen, B. Zhang, Threshold Voltage Modulation by Interface Charge Engineering for High Performance Normally-off GaN MOSFETs with High Faulty Turn-on Immunity, in: 2015: pp. 1373–1375.


Patents published (seleted)

Wanjun Chen, Zeheng Wang, Li Liu, Guanhao Hu, Jian Li, Qi Zhou and Bo Zhang, "An enhanced HEMT with SBD integrated," P.R.C. Patent, App. No.201510483325.4.

Wanjun Chen, Zeheng Wang, Yajie Xin, Guanhao Hu, Yijun Shi, Qi Zhou and Bo Zhang, "A HEMT," P.R.C. Patent, App. No. 201610650111.6.

Qi Zhou, Jian Li, Zeheng Wang, Yuanyuan Shi, Anbang Zhang, Li Liu, Bo Zhang, "A GaN heterojunction power diode with grid control structure," P.R.C. Patent, App. No. 2015104561955.

Wanjun Chen, Yijun Shi, Zeheng Wang, Guanhao Hu, Li Liu, Qi Zhou, Bo Zhang, "An enhanced HEMT device," P.R.C. Patent, App. No. 201510713864.2.

Qi Zhou, Guanhao Hu, Yang Jin, Bowen Chen, Zeheng Wang, Li Liu, Wanjun Chen, Bo Zhang, "A method of threshold voltage modulation for enhanced III-nitride semiconductor device," P.R.C. Patent, App. No. 201511026317.3.

Qi Zhou, Anbang Zhang, Yuanyuan Shi, Li Liu, Zeheng Wang, Wanjun Chen, Bo Zhang, "3D recessed multi-gate enhanced HEMT and its manufacturing method," P.R.C. Patent, App. No. 201511003565.6.

  • 教育经历Education Background
  • 工作经历Work Experience
  • 研究方向Research Focus
  • 社会兼职Social Affiliations
  • 1、【中医大数据与智能医疗】
    --结构化中医药数据库搭建
    --中医信息论体系研究
    --中医药智能处方推荐平台构建
  • 2、【微电子器件设计自动化】
    --三五族、四族半导体新型微电子逻辑器件、发光器件、功率器件、高频微波器件、各类传感器设计
    --BP、MoS2等二维材料器件新结构设计
    --新型微电子器件设计理论
  • 3、【半导体器件物理建模与仿真】
    --Si与GaN/SiC半导体器件建模
    --BP等二维材料第一性原理计算
    --各类半导体器件的有限元分析计算

团队介绍Research Group

现代服务科学计算团队