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    张波

    • 教授 博士生导师 硕士生导师
    • 毕业院校 : 电子科技大学
    • 学历 : 硕士研究生毕业
    • 学位 : 工学硕士学位
    • 所在单位 : 电子科学与工程学院(示范性微电子学院)

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    个人简介

    张波,男,1964年5月生,教授,博士生导师,电子科技大学集成电路研究中心主任。国家自然科学基金委员会第十二届专家评审组专家;国家“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”科技重大专项总体组专家(2008-2013);国家“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”科技重大专项总体组特聘专家;国家集成电路人才培养基地专家组专家;中国半导体行业协会理事;中国电工技术学会电力电子学会理事;四川省电子学会半导体集成技术专委会主任等。 1985年本科毕业于北京工业学院(现北京理工大学)半导体专业,同年推荐免试进入成都电讯工程学院(现电子科技大学)修读半导体专业工学硕士学位。1988年4月研究生毕业后留校工作于微电子科学与工程系,1990年被评为助理研究员(讲师),1994年7月破格晋升副教授。1996年5月,受国家教委委派,以高级访问学者身份赴美国Virginia理工大学进修,1996年11月-1999年11月,在美国国家工程中心功率电子系统中心(CPES)继续从事研究工作,参加了由美国科学基金、美国海军部、Intel公司、HARRIS公司等资助的十余项科研项目研究。1999年11月回国工作,2000年7月被破格晋升教授,2002年被聘为博士生指导教师。2000年被评为四川省跨世纪青年学科带头人,2002年教育部“高校青年教师奖”获得者,2005年被评为成都市“十大杰出青年”,政府特殊津贴获得者,成都市有突出贡献优秀专家,四川省有突出贡献优秀专家,四川省学术和技术带头人,2013年入选国家“有突出贡献中青年专家”和“国家百千万人才工程”。 从1980年代起即致力于新型功率半导体技术研究,在功率半导体领域发表SCI收录论文200余篇、EI收录论文300余篇,获中美发明专利授权80余项,获国家科技进步二等奖等国家及部级科研奖励11项(其中牵头获得2010年国家科技进步二等奖)。所领导的实验室在功率半导体领域已培养出博士50名、硕士600余名。在教学与学术研究的同时为境内外企业成功开发了百余种(款)功率半导体领域新工艺和新产品,实现销售数亿只。 

    教育背景

             1996.05-1999.11 美国Virginia理工大学,美国国家工程中心功率电子系统中心(CPES), 高级访问学者

             1985.09-1988.04 成都电讯工程学院(现电子科技大学),半导体,硕士学位

             1981.09-1985.07 北京工业学院(现北京理工大学),半导体专业,学士学位

    工作履历                                                                                            

             1988.04-1994.06  电子科技大学微电子科学与工程系,教师

             1994.07-2000.06  电子科技大学微电子科学与工程系,副教授

             2000.07-今           电子科技大学微电子与固体电子学院,教授

             2002年 -今           电子科技大学微电子与固体电子学院,博士生导师 

             2014.07-今           电子科技大学集成电路研究中心,主任     

    荣誉奖励

             2010年,国家科技进步奖二等奖

             1998年,国家科技进步奖三等奖

             2014年,国家教学成果二等奖

             2009年,四川省科技进步奖一等奖

             2016年,四川省科技进步奖一等奖

             2014年,教育部自然科学奖二等奖

             1997年,电子工业部科技进步奖二等奖

             1995年,电子工业部科技进步奖三等奖

             2011年,国防技术发明奖三等奖

             2000年,国防科学技术奖二等奖

             2011年,中国电子学会电子信息科学技术奖二等奖

             2011年,中国电子科技集团公司技术发明奖一等奖 

             2015年,“四川电子科学技术奖”一等奖

    从1980年代起即致力于新型功率半导体技术研究,多次担任国际会议功率半导体分会主席,2010年成为国际功率半导体器件与功率集成电路学术会议(ISPSD)技术委员会(TPC)成员(全球功率半导体最高级别专业会议,张波教授是近年来首次进入该技术委员会的国内学者),2015年ISPSD大会副主席。目前带领电子科技大学功率集成技术实验室(PITEL)主攻功率半导体技术研究。  

        电子科技大学功率集成技术实验室(PITEL)是“电子薄膜与集成器件国家重点实验室”和“电子科技大学集成电路研究中心”的重要组成部分。现有11名教授/研究员、9名副教授,2名讲师/助理研究员,198名在读全日制硕士研究生和30名博士研究生,被国际同行誉为“全球功率半导体技术领域最大的学术研究团队”和“功率半导体领域研究最为全面的学术团队”。实验室瞄准国际一流,致力于功率半导体科学和技术研究,研究内容涵盖分立器件(从高性能功率二极管MCR、双极型功率晶体管、功率MOSFET、IGBT、MCT到RF LDMOS,从硅基到SiC和GaN)、可集成功率半导体器件(含硅基、SOI基和GaN基)和功率集成电路(含高低压工艺集成、高压功率集成电路、电源管理集成电路、数字辅助功率集成及面向系统芯片的低功耗集成电路等)。 近年来,实验室共发表SCI收录论文300余篇。在电子器件领域顶级刊物《IEEE Electron Device Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》上共发表论文60余篇。继2012年在EDL上发表7篇论文,论文数位列全球前列以后,2015年在TED上发表8篇文章,论文数再次列全球前三(在固态功率与高压器件领域居全球第一)。本领域国际最顶级学术会议IEEE ISPSD收录论文数自2006年实现零的突破后,从2011年起均居全球研究团队前列,在ISPSD 2013、2017上论文录取数居全球研究团队第一。实验室在功率半导体技术领域已申请中国发明专利800余项,目前已获中、美发明专利授权400余项,在IGBT等多个领域授权数居国内第一。 实验室牵头获得2010年国家科技进步二等奖、2016年四川省科学技术进步一等奖、2009年四川省科学技术进步一等奖、2014年教育部自然科学二等奖、2015年首届四川电子科学技术一等奖;与中国电科24所合作获得2011年中国电子科技集团公司科技发明一等奖;与上海华虹NEC合作获得2011年中国电子学会电子信息科学技术二等奖。 实验室牵头或参研十余项国家科技重大专项;在研国家自然科学基金项目16项,2017年新启动7项。与企业合作承担了国家高技术产业发展计划、四川省产业发展关键重大技术项目、江苏省产业化转化项目、广东省教育部产学研结合项目、粤港关键领域重点突破项目等产业化项目;面向市场研发出100余种产品;为企业开发出60V-600V功率MOS、600V-900V超结(SJ)MOS、IGBT、120V-700V BCD、高压SOI等生产平台,部分产品打破国外垄断、实现批量生产,已销售数亿只。

    1. 部分代表性论文

            [1].Equivalent substrate model for lateral super junction device. IEEE Transactions on Electron Devices, v 61, n 2, p 525-532, February 2014

            [2].Analytical Modeling for a Novel Triple RESURF LDMOS with N-Top Layer. IEEE Transactions on Electron Devices, v 62, n 9, p 2933-2939, September 1, 2015

            [3].Ultralow ON-Resistance SOI LDMOS With Three Separated Gates and High-k Dielectric. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016, 63(9): 3804-3807

            [4].Analytical Model and Characteristics for High-voltage Controllable C-SenseFET.IEEE Transactions on Power Electronics. 2016, VOL. 31, NO. 6

            [5].An advanced spread spectrum architecture using pseudorandom modulation to improve EMI in class D amplifier. IEEE Transactions on Power Electronics, v 26, n 2, p 638-                      646, 2011.

            [6].A 1.6-V 25-μA 5-ppm/°C curvature-compensated bandgap reference. IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, v 59, n 4, p 677-84, April 2012

            [7].Digital Error Corrector for Phase Lead-Compensated Buck Converter in DVS Applications. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Vol.21, No.9,                       pp. 1747 - 1751, Sept. 2013.

            [8].7.6 V Threshold Voltage High-Performance Normally-Off Al 2 O 3 /GaN MOSFET Achieved by Interface Charge Engineering. IEEE Electron Device Letters, 2016, 37(2):165-                   168.

            [9].High Peak Current MOS Gate-Triggered Thyristor With Fast Turn-On Characteristics for Solid-State Closing Switch Applications. IEEE Electron Device Letters, 2015, 37(2):1-1.

            [10].An Accumulation Mode RF Laterally Double Diffused MOSFET with Improved Performance. IEEE Electron Device Letters,v 37,n 10,October 2016

               ......

     

        2. 出版刊物

            (1) Power Semiconductor Devices and Smart Power IC,自编讲义

            (2) 集成电路电源完整性分析与管理,译著,电子工业出版社,2013年

            (3) 功率半导体器件电场优化技术,专著,电子科技大学出版社,2016年

      重视国际交流与合作,领导实验室和美国北卡州立大学、英国剑桥大学、加拿大多伦多大学、香港科技大学、美国ADI(Analog Device Inc.)公司、美国ON Semiconductor、美国MPS、日本              Rohm公司以及台湾AME、EUTECH、NIKO-SEMI和NUVOTON等高校和企业开展了密切合作。并与ADI公司、ON Semiconductor、MPS建立联合实验室。

      积极开展产学研用合作,领导实验室和中科院微电子所、中科院微系统所、中国电子科技集团13所、24所、58所、深圳华为、株洲南车、国家电网、广东美的、四川长虹、华虹NEC、华润微电               子、杭州士兰微、天津中环半导体、吉林华微、江苏东光、深圳深爱、北京新雷能等数十家企业开展了密切合作。并与58所、华润、中环、北京新雷能等企业建立了校企联合实验室。

        实验室已培养博士50名、硕士600余名,其中多人成为国内外本领域骨干。近年实验室毕业研究生每年超过50人,已成为全球功率半导体领域培养研究生最多的人才培养基地。