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    胡旻

    • 教授 博士生导师
    • 性别：男
    • 毕业院校：电子科技大学
    • 学历：博士研究生毕业
    • 学位：工学博士学位
    • 在职信息：在职人员
    • 所在单位：电子科学与工程学院
    • 入职时间： 2009-06-30
    • 学科：物理电子学
    • 办公地点：沙河校区逸夫楼428
    • 联系方式：
    • 电子邮箱：

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    个人简介

    胡旻，电子科技大学，博士，教授


    教育及工作经历：

    1999.09-2003.06 浙江大学 本科; 2003.09-2009.06：获博士学位，电子科技大学;

    2009.06-至今：教授，电子科技大学;

    2011.09-2012.09：美国麻省理工学院，博士后。


    学术头衔：

    电子科技大学太赫兹科学研究中心主任 中国教育部重点实验室副主任 四川省重点实验室重点实验室骨干成员 中国四川省协同创新中心重点成员。
     
    学术工作简介：
    从事新型太赫兹辐射源的工作及太赫兹科技的应用。主持并承接了多项国家太赫兹项目，包括国家科技部重点研发计划“973”项目、国家自然科学基金重点项目、地面项目和青年基金。发表90多篇SCI论文，包括《物理评论快报》、《碳》、《光子学研究》等学术期刊，在学术会议上发表各种演讲，并担任会议主席。组织了一年一度的全国太赫兹科学技术大会，全国激光技术与光电子会议太赫兹分会担任会议主席和执行主席，主持第46届红外毫米波太赫兹国际会议程序委员会。自2012年起率先为本科生和研究生开设“太赫兹科学技术导论”课程，七年来已教授近500名学生。
     
    研究领域：
    主要集中在太赫兹前沿的基础研究，太赫兹辐射源的开发，太赫兹应用的发展。 基础研究：提出利用自由电子结合表面等离子体激发产生电磁辐射，理论结果发表在《物理评论快报》上，并得到《自然物理学》的高度评价。最近进一步提出了太赫兹量子电磁学的发展方向。
     
    器件开发：
    提出一种基于Smith-Purcell超辐射的小型化真空电子器件，并提出开发一种基于Ssmith-Purcell双电子注入和亚波长空穴阵列结构产生的超辐射机理的衍射辐射器件，双电子注入通过结构耦合大大降低了器件的启动电流，提高了相互作用效率。相关器件在0.3 THz时可达到500 mW输出功率，以满足太赫兹应用的要求。研究结果发表在IEEE电子器件学报上。
     
    太赫兹应用：
    成功实现太赫兹近场显微镜系统THz-SNOM，这是国际上第一个基于真空电子学的太赫兹近场成像系统。有效解决了太赫兹近场系统中的信噪比问题，成功实现了20nm分辨率的太赫兹成像，已应用于病毒观察、牙齿脱矿质等多种生物医学场景。


    其他联系方式

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    教育经历

    1999.9 -- 2003.7
    浙江大学       信息工程       大学本科毕业       工学学士学位

    2003.9 -- 2009.6
    电子科技大学       等离子体物理       博士研究生毕业       工学博士学位

    工作经历

    2017.12 -- 至今

    电子科技大学电子科学与技术学院（示范性微电子学院）      讲师、副教授

    2009.6 -- 2017.11

    电子科技大学      讲师、副教授

    2011.9 -- 2012.9

    美国麻省理工学院      PSFC      博士后

    研究方向

  • 主要集中在太赫兹前沿的基础研究，太赫兹辐射源的开发，太赫兹应用的发展。

    • 团队成员

    太赫兹团队


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