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发表刊物:IEEE Electron Device Letters
第一作者:C. Tu
论文类型:Article
通讯作者:J. Lee
论文编号:WOS: 000300580000050
卷号:33
期号:3
ISSN号:0741-3106
是否译文:否
发表时间:2012-03-01
上一条:Increased dissipation from distributed etch holes in a lateral breathing mode silicon micromechanical resonator