张波
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张波,男,1964年5月生,教授,博士生导师,电子科技大学集成电路研究中心主任。国家自然科学基金委员会第十二届专家评审组专家;国家“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”科技重大专项总体组专家(2008-2013);国家“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”科技重大专项总体组特聘专家;国家集成电路人才培养基地专家组专家;中国半导体行业协会理事;中国电工技术学会电力电子学会理事;四川省电子学会半导体集成技术专委会主任等。 1985年本科毕业于北京工业学院(现北京理工大学)半导体专业,同年推荐免试进入成都电讯工程学院(现电子科技大学)修读半导体专业工学硕士学位。1988年4月研究生毕业后留校工作于微电子科学与工程系,1990年被评为助理研究员(讲师),1994年7月破格晋升副教授。1996年5月,受国家教委委派,以高级访问学者身份赴美国Virginia理工大学进修,1996年11月-1999年11月,在美国国家工程中心功率电子系统中心(CPES)继续从事研究工作,参加了由美国科学基金、美国海军部、Intel公司、HARRIS公司等资助的十余项科研项目研究。1999年11月回国工作,2000年7月被破格晋升教授,2002年被聘为博士生指导教师。2000年被评为四川省跨世纪青年学科带头人,2002年教育部“高校青年教师奖”获得者,2005年被评为成都市“十大杰出青年”,2011年获政府特殊津贴获得者,2004年和2018年分别获成都市有突出贡献优秀专家,2011年获四川省有突出贡献优秀专家,2013年成为四川省学术和技术带头人,2018年入选天府创新领军人才,2021年入选天府杰出科学家,2013年入选国家“有突出贡献中青年专家”和“国家百千万人才工程”。 从1980年代起即致力于新型功率半导体技术研究,在功率半导体领域发表SCI收录论文200余篇、EI收录论文300余篇,获中美发明专利授权80余项,获国家科技进步二等奖等国家及部级科研奖励11项(其中牵头获得2010年国家科技进步二等奖)。所领导的实验室在功率半导体领域已培养出博士70余名、硕士1000余名。在教学与学术研究的同时为境内外企业成功开发了百余种(款)功率半导体领域新工艺和新产品,为企业新增直接经济效益超过100亿元。
教育背景
1996.05-1999.11 美国Virginia理工大学,美国国家工程中心功率电子系统中心(CPES), 高级访问学者
1985.09-1988.04 成都电讯工程学院(现电子科技大学),半导体,硕士学位
1981.09-1985.07 北京工业学院(现北京理工大学),半导体专业,学士学位
工作履历
1988.04-1994.06 电子科技大学微电子科学与工程系,教师
1994.07-2000.06 电子科技大学微电子科学与工程系,副教授
2000.07-今 电子科技大学微电子与固体电子学院,教授
2002年 -今 电子科技大学微电子与固体电子学院,博士生导师
2014.07-今 电子科技大学集成电路研究中心,主任
荣誉奖励
2010年,国家科技进步奖二等奖
1998年,国家科技进步奖三等奖
2014年,国家教学成果二等奖
2009年,四川省科技进步奖一等奖
2016年,四川省科技进步奖一等奖
2014年,教育部自然科学奖二等奖
1997年,电子工业部科技进步奖二等奖
1995年,电子工业部科技进步奖三等奖
2011年,部级技术发明奖三等奖
2000年,部级科学技术奖二等奖
2011年,中国电子学会电子信息科学技术奖二等奖
2011年,中国电子科技集团公司技术发明奖一等奖
2015年,“四川电子科学技术奖”一等奖
从1980年代起即致力于新型功率半导体技术研究,多次担任国际会议功率半导体分会主席,2010年成为国际功率半导体器件与功率集成电路学术会议(ISPSD)技术委员会(TPC)成员(全球功率半导体最高级别专业会议,张波教授是近年来首次进入该技术委员会的国内学者),2015年ISPSD大会副主席。目前带领电子科技大学功率集成技术实验室(PITEL)主攻功率半导体技术研究。
电子科技大学功率集成技术实验室(PITEL)是“电子薄膜与集成器件国家重点实验室”和“电子科技大学集成电路研究中心”的重要组成部分。现有16名教授/研究员、9名副教授,198名在读全日制硕士研究生和30名博士研究生,被国际同行誉为“全球功率半导体技术领域最大的学术研究团队”和“功率半导体领域研究最为全面的学术团队”。实验室瞄准国际一流,致力于功率半导体科学和技术研究,研究内容涵盖分立器件(从高性能功率二极管MCR、双极型功率晶体管、功率MOSFET、IGBT、MCT到RF LDMOS,从硅基到SiC和GaN)、可集成功率半导体器件(含硅基、SOI基和GaN基)和功率集成电路(含高低压工艺集成、高压功率集成电路、电源管理集成电路、数字辅助功率集成及面向系统芯片的低功耗集成电路等)。 近年来,实验室共发表SCI收录论文300余篇。在电子器件领域顶级刊物《IEEE Electron Device Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》上共发表论文60余篇。继2012年在EDL上发表7篇论文,论文数位列全球前列以后,2015年在TED上发表8篇文章,论文数再次列全球前三(在固态功率与高压器件领域居全球第一)。本领域国际最顶级学术会议IEEE ISPSD收录论文数自2006年实现零的突破后,从2011年起均居全球研究团队前列,在ISPSD 2013、2017上论文录取数居全球研究团队第一。实验室在功率半导体技术领域已获中、美发明专利授权1000余项,在IGBT等多个领域授权数居国内第一。 实验室牵头获得2010年国家科技进步二等奖、2016年四川省科学技术进步一等奖、2009年四川省科学技术进步一等奖、2014年教育部自然科学二等奖等;与中国电科24所合作获得2011年中国电子科技集团公司科技发明一等奖;与上海华虹NEC合作获得2011年中国电子学会电子信息科学技术二等奖等。 实验室牵头或参研十余项国家科技重大专项;在研国家自然科学基金项目16项。与企业合作承担了国家高技术产业发展计划、四川省产业发展关键重大技术项目、江苏省产业化转化项目、广东省教育部产学研结合项目、粤港关键领域重点突破项目等产业化项目;面向市场研发出100余种产品;为企业开发出60V-600V功率MOS、600V-900V超结(SJ)MOS、IGBT、120V-700V BCD、高压SOI等生产平台,部分产品打破国外垄断、实现批量生产,已销售数亿只。
1. 部分代表性论文
[1].Equivalent substrate model for lateral super junction device. IEEE Transactions on Electron Devices, v 61, n 2, p 525-532, February 2014
[2].Analytical Modeling for a Novel Triple RESURF LDMOS with N-Top Layer. IEEE Transactions on Electron Devices, v 62, n 9, p 2933-2939, September 1, 2015
[3].Ultralow ON-Resistance SOI LDMOS With Three Separated Gates and High-k Dielectric. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016, 63(9): 3804-3807
[4].Analytical Model and Characteristics for High-voltage Controllable C-SenseFET.IEEE Transactions on Power Electronics. 2016, VOL. 31, NO. 6
[5].An advanced spread spectrum architecture using pseudorandom modulation to improve EMI in class D amplifier. IEEE Transactions on Power Electronics, v 26, n 2, p 638-646, 2011.
[6].A 1.6-V 25-μA 5-ppm/°C curvature-compensated bandgap reference. IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, v 59, n 4, p 677-84, April 2012
[7].Digital Error Corrector for Phase Lead-Compensated Buck Converter in DVS Applications. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Vol.21, No.9, pp. 1747 - 1751, Sept. 2013.
[8].7.6 V Threshold Voltage High-Performance Normally-Off Al 2 O 3 /GaN MOSFET Achieved by Interface Charge Engineering. IEEE Electron Device Letters, 2016, 37(2):165-168.
[9].High Peak Current MOS Gate-Triggered Thyristor With Fast Turn-On Characteristics for Solid-State Closing Switch Applications. IEEE Electron Device Letters, 2015, 37(2):1-1.
[10].An Accumulation Mode RF Laterally Double Diffused MOSFET with Improved Performance. IEEE Electron Device Letters,v 37,n 10,October 2016
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2. 出版刊物
(1) Power Semiconductor Devices and Smart Power IC,自编讲义
(2) 集成电路电源完整性分析与管理,译著,电子工业出版社,2013年
(3) 功率半导体器件电场优化技术,专著,电子科技大学出版社,2016年
重视国际交流与合作,领导实验室和美国北卡州立大学、英国剑桥大学、加拿大多伦多大学、香港科技大学、美国ADI(Analog Device Inc.)公司、美国ON Semiconductor、美国MPS、日本Rohm公司以及台湾AME、EUTECH、NIKO-SEMI和NUVOTON等高校和企业开展了密切合作。并与ADI公司、ON Semiconductor、MPS建立联合实验室。
积极开展产学研用合作,领导实验室和中科院微电子所、中科院微系统所、中国电子科技集团13所、24所、58所、深圳华为、株洲南车、国家电网、广东美的、四川长虹、华虹NEC、华润微电子、杭州士兰微、天津中环半导体、吉林华微、江苏东光、深圳深爱、北京新雷能等数十家企业开展了密切合作。并与58所、华润、中环、北京新雷能等企业建立了校企联合实验室。
实验室已培养博士70余名、硕士1000余名,其中多人成为国内外本领域骨干。近年实验室毕业研究生每年超过100人,已成为全球功率半导体领域培养研究生最多的人才培养基地。
1981.9 -- 1985.7
北京理工大学
 半导体专业
 大学本科毕业
 理学学士学位
1985.7 -- 1988.4
电子科技大学
 半导体物理与器件
 硕士研究生毕业
 工学硕士学位
2017.12 -- 至今
电子科技大学电子科学与技术学院(示范性微电子学院) 副院长 博导
2002.7 -- 2017.11
电子科技大学微电子与固体电子学院 副院长 博导
2001.11 -- 2002.7
电子科技大学微电子与固体电子学院 副院长
1999.11 -- 2001.10
电子科技大学微电子科学与工程系 系主任助理
1988.4 -- 1999.10
电子科技大学微电子所 助教 助理研究员