张波
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张波,男,1964年5月生,教授,博士生导师,电子科技大学集成电路研究中心主任,电子薄膜与集成器件全国重点实验室副主任。兼(曾)任国家自然科学基金委员会第十二届专家评审组专家;国家“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”科技重大专项总体组专家;国家“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”科技重大专项总体组特聘专家;国家集成电路人才培养基地专家组专家;中国半导体行业协会理事;中国电源学会元器件专委会主任;四川省电子学会半导体集成技术专委会主任等。 1985年本科毕业于北京工业学院(现北京理工大学)半导体专业,同年推荐免试进入成都电讯工程学院(现电子科技大学)修读半导体专业工学硕士学位。1988年4月研究生毕业后留校工作于微电子科学与工程系(微电子研究所),1990年被评为助理研究员(讲师),1994年7月破格晋升副教授。1996年5月,受国家教委委派,以高级访问学者身份赴美国Virginia理工大学进修,1996年11月-1999年11月,在美国国家工程中心功率电子系统中心(CPES)继续从事研究工作,参加了由美国科学基金、美国海军部、Intel公司、HARRIS公司等资助的十余项科研项目研究。1999年11月回国工作,2000年7月被破格晋升教授,2002年被聘为博士生指导教师。2000年被评为四川省跨世纪青年学科带头人,2002年教育部“高校青年教师奖”获得者,2005年被评为成都市“十大杰出青年”,2011年获政府特殊津贴获得者,2004年和2018年分别获成都市有突出贡献优秀专家,2011年获四川省有突出贡献优秀专家,2013年成为四川省学术和技术带头人,2013年入选国家“有突出贡献中青年专家”和“国家百千万人才工程”,2018年入选天府创新领军人才,2021年入选天府杰出科学家,2023年被评为四川省优秀教师,2024年被选为“川越40年·师恩难忘”活动40位致敬人物之一。 从1980年代起即致力于新型功率半导体技术研究,在功率半导体领域发表SCI收录论文800余篇,获中美发明专利授权400余项,获国家及省部级科技奖励18项,含以第一完成人两次荣获国家科技进步二等奖(2010、2023)。所领导的实验室在功率半导体领域已培养出博士90余名、硕士1200余名,为全球功率半导体领域最大的人才培养基地。在教学与学术研究的同时为境内外企业成功开发了200余种(款)功率半导体领域新工艺和新产品,为企业新增直接经济效数百亿元。
教育背景
1996.05-1999.11 美国Virginia理工大学,美国国家工程中心功率电子系统中心(CPES), 高级访问学者
1985.09-1988.04 成都电讯工程学院(现电子科技大学),半导体,硕士学位
1981.09-1985.07 北京工业学院(现北京理工大学),半导体专业,学士学位
工作履历
1988.04-1994.06 电子科技大学微电子科学与工程系,教师
1994.07-2000.06 电子科技大学微电子科学与工程系,副教授
2000.07- 今 电子科技大学,教授
2002.07- 今 电子科技大学,博士生指导教师
2001.11-2015.12 电子科技大学微电子与固体电子学院,副院长
2014.07-今 电子科技大学集成电路研究中心,主任
荣誉奖励
2023年度,国家科技进步奖二等奖(第一完成人)
2010年度,国家科技进步奖二等奖(第一完成人)
1998年度,国家科技进步奖三等奖(第五完成人)
2018年度,国家教学成果二等奖(第四完成人)
2014年度,国家教学成果二等奖(第六完成人)
2022年度,教育部自然科学奖二等奖(第三完成人)
2022年度,中国产学研合作创新成果二等奖(第一完成人)
2022年度,四川省技术发明二等奖(第六完成人)
2020年度,部级科技进步二等奖(第七完成人)
2019年度,北京市技术发明二等奖(第四完成人)
2019年度,部级技术发明二等奖(第一完成人)
2018年度,中国电子学会技术发明三等奖(第二完成人)
2018年度,四川省教学成果一等奖(第四完成人)
2016年度,四川省科技进步奖一等奖(第一完成人)
2014年度,教育部自然科学奖二等奖(第一完成人)
2015年度,“四川电子科学技术奖”一等奖(第三完成人)
2011年度,部级技术发明奖三等奖(第二完成人)
2011年度,中国电子学会电子信息科学技术奖二等奖(第三完成人)
2011年度,中国电子科技集团公司技术发明奖一等奖 (第二完成人)
2009年度,四川省科技进步奖一等奖(第一完成人)
2000年度,部级科学技术奖二等奖(第八完成人)
1997年度,电子工业部科技进步奖二等奖(第五完成人)
1995年度,电子工业部科技进步奖三等奖(第二完成人)
从1980年代起即致力于新型功率半导体技术研究,多次担任国际会议功率半导体分会主席,2010年成为国际功率半导体器件与功率集成电路学术会议(ISPSD)技术委员会(TPC)成员(全球功率半导体最高级别专业会议,张波教授是首次进入该技术委员会的国内学者),2015年ISPSD大会副主席。目前带领电子科技大学功率集成技术实验室(PITEL)主攻功率半导体技术研究。
电子科技大学功率集成技术实验室(PITEL)隶属于电子科技大学集成电路科学与工程学院,为“四川省功率半导体技术工程研究中心”,是“电子薄膜与集成器件国家重点实验室”和“电子科技大学集成电路研究中心”的重要组成部分。现有17名教授/研究员、10名副教授/副研究员, 285名在读全日制硕士研究生、65名博士研究生和5名在站博士后,被国际同行誉为“全球功率半导体技术领域最大的学术研究团队”和 “功率半导体领域研究最为全面的学术团队”。
实验室瞄准国际一流,致力于功率半导体科学和技术研究,研究内容涵盖分立器件(从高性能功率二极管MCR、TVS保护器件、双极型功率晶体管、功率MOSFET、IGBT到MCT,从硅基到SiC、GaN和GaO)、可集成功率半导体器件(含硅基、SOI基和GaN基)和功率集成电路(含高低压工艺集成、高压功率集成电路、电源管理集成电路、数字辅助功率集成及面向系统芯片的低功耗集成电路等)。
历经二十余载创新,实验室发展了具有普适性的理论、技术和工艺平台,达到国际先进或领先水平,取得显著的经济和社会效益。近十年来共发表SCI收录论文500余篇。在电子器件领域顶级刊物IEEE Electron Device Letters (EDL) 和IEEE Transactions on Electron Devices (T-ED)上共发表论文100余篇,在功率半导体领域最具影响力国际学术会议ISPSD上8次居全球发表论文数第一团队。团队牵头分别获2010年度和2023年度国家科技进步二等奖。团队产学研合作卓有成效,与8家企业建有联合实验室,面向市场研发出200余种功率半导体器件与功率集成电路,为企业开发了多种工艺生产平台,部分产品打破国外垄断、实现批量生产,为合作企业新增直接经济效益数百亿元,推动了我国功率半导体行业的发展。 团队已成为行业公认的研发创新高地。
实验室已培养毕业博士90余名、硕士1200余名,为全球培养功率半导体领域最多人才的团队。
1. 部分代表性论文
[1].Equivalent substrate model for lateral super junction device. IEEE Transactions on Electron Devices, v 61, n 2, p 525-532, February 2014
[2].Analytical Modeling for a Novel Triple RESURF LDMOS with N-Top Layer. IEEE Transactions on Electron Devices, v 62, n 9, p 2933-2939, September 1, 2015
[3].Ultralow ON-Resistance SOI LDMOS With Three Separated Gates and High-k Dielectric. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016, 63(9): 3804-3807
[4].Analytical Model and Characteristics for High-voltage Controllable C-SenseFET.IEEE Transactions on Power Electronics. 2016, VOL. 31, NO. 6
[5].An advanced spread spectrum architecture using pseudorandom modulation to improve EMI in class D amplifier. IEEE Transactions on Power Electronics, v 26, n 2, p 638-646, 2011.
[6].A 1.6-V 25-μA 5-ppm/°C curvature-compensated bandgap reference. IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, v 59, n 4, p 677-84, April 2012
[7].Digital Error Corrector for Phase Lead-Compensated Buck Converter in DVS Applications. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Vol.21, No.9, pp. 1747 - 1751, Sept. 2013.
[8].7.6 V Threshold Voltage High-Performance Normally-Off Al 2 O 3 /GaN MOSFET Achieved by Interface Charge Engineering. IEEE Electron Device Letters, 2016, 37(2):165-168.
[9].High Peak Current MOS Gate-Triggered Thyristor With Fast Turn-On Characteristics for Solid-State Closing Switch Applications. IEEE Electron Device Letters, 2015, 37(2):1-1.
[10].An Accumulation Mode RF Laterally Double Diffused MOSFET with Improved Performance. IEEE Electron Device Letters,v 37,n 10,October 2016
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2. 出版刊物
(1) Power Semiconductor Devices and Smart Power IC,自编讲义
(2) 集成电路电源完整性分析与管理,译著,电子工业出版社,2013年
(3) 功率半导体器件电场优化技术,专著,电子科技大学出版社,2016年
(4) 功率集成电路设计技术,专著,科学出版社,2020年
(5) 功率超结器件,专著,人民邮电出版社,2023年
1981.9 -- 1985.7
北京理工大学
 半导体专业
 大学本科毕业
 理学学士学位
1985.7 -- 1988.4
电子科技大学
 半导体物理与器件
 硕士研究生毕业
 工学硕士学位
2023.1 -- 至今
电子科技大学集成电路科学与工程学院 集成电路科学与工程学院(示范性微电子学院) 教授
2017.12 -- 至今
电子科技大学电子科学与技术学院(示范性微电子学院) 副院长 博导
2002.7 -- 2017.11
电子科技大学微电子与固体电子学院 副院长 博导
2001.11 -- 2002.7
电子科技大学微电子与固体电子学院 副院长
1999.11 -- 2001.10
电子科技大学微电子科学与工程系 系主任助理
1988.4 -- 1999.10
电子科技大学微电子所 助教 助理研究员
兼(曾)任国家自然科学基金委员会第十二届专家评审组专家;国家“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”科技重大专项总体组专家;国家“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”科技重大专项总体组特聘专家;国家集成电路人才培养基地专家组专家;中国半导体行业协会理事;中国电源学会元器件专委会主任;四川省电子学会半导体集成技术专委会主任
功率半导体技术