个人简介

金立川,电子科技大学教授,博士生导师,IEEE会员,科技部“通信应用单晶材料”国际科技合作基地骨干成员,“111”创新引智基地骨干成员,四川省学术与技术带头人后备人选,电子科技大学校百人。担任SCI期刊《Frontiers in Materials》副主编,《磁性材料及器件》期刊青年编委。研究聚焦自旋电子材料与器件领域,面向“后摩尔”时代自旋(波)电子器件和高密度磁存储器的重大需求,致力于开发新型低耗散磁单晶薄膜与磁子信息器件,针对自旋轨道矩-MRAM存储器芯片写入功耗高的瓶颈问题,发展了MRAM存储器用巨自旋霍尔薄膜材料新体系,将信息写入电流密度降低了一个数量级,研究成果服务于磁量子信息、非易失磁随机存储器及自旋逻辑器件等领域。在国际知名学术期刊Advanced Functional Materials、Advanced Science、Advanced Electronic Materials、Applied Physics Letters、Physical Review B等发表SCI论文100余篇,主研/主持包括科技部重点研发计划、国家重大科研仪器项目、自然基金面上项目、装发预研、省部级项目,已授权中、美发明专利50余件,获得四川省科技进步一等奖、国防技术发明一等奖、国家教学成果二等奖等。

           

                            




主要研究兴趣包括:

1.磁子单晶薄膜与新型信息器件

磁子作为一种玻色子,为自旋波的量子化基元,传输过程中具有无焦耳热、低功耗、极宽频等特点。磁子晶体管以磁子流取代电荷流作为信息载体,是后摩尔时代一类关键玻色子信息器件,有望应用于低功耗信息传输、存储与逻辑运算等领域。我们探索并发展了基于YIG单晶薄膜的磁子集成器件,提出了自旋波传输的声子调控新方法,实现了兼具信息放大、关断和移相功能的自旋波晶体管器件(Adv. Funct. Mater. 2022, 2203963);针对太赫兹磁子信息器件前沿问题,提出了反铁磁晶格缺陷调控的太赫兹自旋电子器件,实现了0.5-3THz的超快自旋信号源(Small Structures 2023, 2300076);发展了YIG薄膜表面金属化方法,提高低波矢自旋波的传输效率,获得创纪录的自旋波群速度(Adv. Electron. Mater. 2022, 202201061)等。研究成果在权威期刊Adv. Funct. Mater.、Small Struct.、Adv. Electron. Mater.、Phys. Rev. B等上发表。



2.MRAM存储器用巨自旋霍尔角薄膜与器件

基于自旋轨道力矩(SOT)效应的新型磁随机存储器(MRAM)、存算一体器件受到国际广泛关注。SOT器件的功耗依赖于材料的“自旋流-电荷流”转换效率(自旋霍尔角)。目前,开发兼具高自旋霍尔角和低电阻率的薄膜材料仍是领域难点,我们提出和发明了巨自旋霍尔W/TaOx、Pt(TiO2)、Pt1-x(SrTiO3)x、PtBi、PtSn等系列薄膜新材料,实现了室温下巨大自旋霍尔角1.6(国际领先),将信息写入所需的电流密度降低约30倍(较纯Pt),SOT效率提升了1个数量级。新材料兼具巨自旋霍尔角、极低电阻率和良好的CMOS工艺兼容性,有效解决了SOT-MRAM芯片写入功耗高的瓶颈材料难题。

    

            




研究方向
  • 研究领域:磁电薄膜与微型器件,包括:自旋电子学器件、磁量子信息器件、集成传感器及应用。

  • 教育经历
  • 工作经历
  • 2004.9 2008.7
    电子科技大学电子科学与技术固体电子工程大学本科毕业工学学士学位
  • 2010.9 2014.12
    电子科技大学电子科学与技术固体电子工程博士研究生毕业工学博士学位
  • 2008.9 2010.7
    电子科技大学电子科学与技术固体电子工程硕士研究生毕业工学硕士学位
  • 2022.6 至今
    电子科技大学 电子科学与工程学院 教授
  • 2015.2 2017.11
    电子科技大学微电子与固体电子学院 特聘副教授
  • 2017.12 至今
    电子科技大学电子科学与技术学院(示范性微电子学院) 特聘副教授