2025.7 -- 2027.7

担任核心期刊《电子元件与材料》第三届青年编委会委员。

IEEE Member (国际电气电子工程师协会会员）;

担任SCI期刊IEEE Transactions on Electron Devices、IET Power Electronics、及国内核心期刊《微电子学》、《电子学报》等的审稿人。

担任多个IEEE重要国际学术会议的审稿人：如，IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits（EDSSC）, IEEE International Conference on Power Electronics and Drive Systems (PEDS）等。

曾担任知名国际学术会议IEEE International Conference on ASIC (IEEE ASICON)、IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology（ICSICT)的技术程序委员会成员（TPC Member).

● 主要从事新型功率半导体器件（功率MOSFET、IGBT、功率二极管、超结功率器件、功率LDMOS、功率JFET等）、宽禁带半导体器件（碳化硅SiC MOS、氮化镓GaN HEMT、氧化镓Ga2O3二极管及MOS等功率半导体器件及集成技术）、新型功率器件与功率集成电路，以及基于新材料的半导体器件与集成电路技术等。相关研究成果和专利已受到业界和同行的关注，部分已进行成果转化。