• 其他栏目

    罗小蓉

    • 教授 博士生导师
    • 性别:女
    • 毕业院校:电子科技大学
    • 学历:博士研究生毕业
    • 学位:工学博士学位
    • 在职信息:在岗
    • 所在单位:党委教师工作部、人力资源部
    • 2012当选:新世纪优秀人才计划
    • 2021当选:“长江学者奖励计划”青年学者

    访问量:

    开通时间:..

    最后更新时间:..

    个人简介

        2001年7月-至今 电子科技大学工作,期间2009-2010在剑桥大学进行博士后研究工作; 2011年聘为博士生导师,2012年破格晋升教授。 主持国 防卓越青年科技基金、国家自然科学基金、国家科技重大专项和重点研发计划以及省部级项目等40余项。发表SCI检索100余篇,其中以第一作者和通讯作者在微电子器件顶级期刊IEEE EDL和IEEE TED上发表论文40余篇,H指数为25,在重要国际学术会议做 5 次主题/特邀报告。作为第一发明人申请专利120余项,其中授权美国发明专利6项、中国发明专利71项。 


    学术兼职: 

    1、功率半导体领域国际顶级学术会议ISPSD的TPC委员;

    2、IEEE EDS Power Devices and ICs,全球15名Technical Committee委员之一?;

    3、国家自然科学基金会议评审专家;

    4、国家人才基金项目会评专家;

    5、国际会议IEEE ICSICT分会主席;

    6、Advances in Material and Physics of Power Semiconductor and Integration,Guest Editor

    7、NMCI国际会议,大会Co-chair

    8、全国半导体物理学术会议专题主席。


    荣誉和奖励:

    2021年,国家级人才计划入选者;

    2020年,四川省技术发明二等奖;

    2019年,国防科技技术发明二等奖;

    2018年,获GF卓越青年科学基金;

    2018年,四川省有突出贡献的优秀专专家;

    2017年,中国电子学会优秀科技工作者;

    2010年,国家科技进步二等奖;

    2011年,教育部新世纪优秀人才支持计划;

    2014年,教育部自然科学奖二等奖;

    2013年,四川省青年科技奖;

    2013年,四川省学术技术带头人后备人选;

    2011年,四川省优秀博士学位论文

    2012年,电子科技大学“百人计划”;

    2016年,本科教学优秀奖;

    2017年,电子科技大学第四届“我最喜爱老师”卓越风采奖。


    研究方向:功率半导体器件与集成电路

    主要科研项目:

    1、173重点项目,氧化镓方向,批准号:2021-JCJQ-ZD-056-00,负责人;

    2、国家自然科学基金区域联合基金重点项目,新型高阈值电压GaN电力电子器件模型与关键技术研究,批准号:U20A20208,负责人 

    3、卓越青年科学基金:批准号:2018-JCJQ-ZQ-060,负责人;

    4、基础性JG科研院所稳定支持项目,批准号:1902N261,负责人;

    5、装发十三五预研:批准号,31513030201-2,负责人;

    6、总装十二五预研:批准号,51308020304,负责人;

    7、国家自然科学基金:空穴气增强型高压 GaN HEMT 机理与新结构研究,批准号:51677021,负责人;

    8、国家自然科学基金:对称极化掺杂增强型功率 GaN HFET 机理与工艺实现研究,批准号:61874149,负责人;

    9、国家自然科学基金:高压、超低功耗的易集成SOI横向功率MOSFET机理与新结构研究,批准号:61176069,负责人;

    10、国家自然科学基金:结型场板横向功率器件机理与新结构研究,批准号:61376079,负责人;

    11、国防科工局基础科研重点项目,批准号:JCKY2016210B008,子课题负责人;

    12、国家科技重大专项:批准号:2014ZX02306001-002,主研;

    13、国家科技重大专项:批准号:2013ZX02501002-003,主持。

    14、装备部项目:XXXXX集成关键技术,批准号:51308020304,负责人


     代表性学术成果:

    (一)学术论文  

    行业顶级期刊IEEE EDL、TED和IEEE PE 

    [1]Yuxi Wei, Xiaorong Luo*, Yuangang Wang, Juan Lu, Zhuolin Jiang, Jie Wei, Yuanjie Lv, Zhihong Feng*.  IEEE Transactions on Power  Electronics, 2021, 36(10): 10976-10980.

    [2]Jie Wei, Sen Zhang, Xiaorong Luo(*), Diao Fan, and Bo Zhang.  IEEE Transactions on Electron Devices,2021, 68(5): 2572–2576

    [3]Jie Wei, Zhen Ma, Xiaorong Luo(*), Congcong Li, Hua Song, Sen Zhang, and Bo Zhang. IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(8): 4168-4172

    [4]Gaoqiang Deng, Zhen Ma, Xiaorong Luo(*), Xintong Xie, Congcong Li and W. T. Ng, IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(10): pp. 5326-5329

    [5]Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo, Zheyan Zhao, Jie Wei, Shikang Cheng; Congcong Li; Zhen Ma; Bo Zhang, IEEE Electron Device Letters, 2020.03, 41(3): 465-468.

    [6]Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo, Tao Sun, et al.IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(6): 2681-2685.

    [7]Xiaorong Luo, Yang Yang, TaoSun, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(3): 1390-1395.

    [8]Yuxi Wei, Xiaorong Luo, Weiwei Ge, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(6): 2669-2674.

    [9]Jie Wei, Xiaorong Luo, Gaoqiang Deng, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66(1): 533-538.

    [10]Chao Yang, Xiaorong Luo, Anbang. Zhang, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(11): 5203–5207.

    [11]Kun Zhou, Linhua Huang, Xiaorong Luo, et al. Transactions on Power Electronics, 2018, 33(4): 3289-3301

    [12]Xiaorong Luo, Qing Liu, Jie Wei, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(10): 4729-4733

    [13]Gaoqiang Deng, Xiao Rong Luo, Jie Wei, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(5): 1856-1861.

    [14]Jie Wei, Xiaorong Luo, Linhua Huang, et al. IEEE Electron Device Letters, 2018, 39(2): 252-255

    [15]Xiao Rong Luo, Zheyan Zhao, Linhua Huang, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(8): 3572-3576.

    [16]Tao Sun, Xiaorong Luo, Jie Wei, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(8): 3365-3370.

    [17]Weiwei Ge, Xiaorong Luo, Junfeng Wu, et al. IEEE Electron Device Letters, 2017, 38(7): 910-913

    [18]Linhua Huang, Xiaorong Luo, Jie Wei, et al.  IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64(9): 3961-3966

    [19]Xiaorong Luo, Da Ma, Qiao Tan, et al. IEEE Electron Device Letters, 2016, 37(9): 1185-1188

    [20]Xiaorong Luo, Mengshan Lv, Chao Yin, et al.  IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63(9): 3804-3807

    [21]Jie Wei, Xiaorong Luo, Yanhui Zhang, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63(4): 1637-1643

    [22]Kun Zhou, Xiaorong Luo, Linhua Huang, et al. IEEE Electron Device Letters, 2016, 37(11): 1462-1465

    [23]Xiaorong Luo, Qiao Tan, Jie Wei.IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63(6): 2614-2619

    [24]Kun Zhou, Xiaorong Luo, Zhaoji Li, et al.IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, 62(10): 3334-3340

    [25]Xiaorong Luo, Jie Wei, Xianlong Shi, et al.  IEEE Transactions on Electron Devices, 2014, 61(12): 4304-4308

    [26]Kun Zhou, Xiaorong Luo, Qing Xu, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2014,61(7):2466-2472

    [27]Xiaorong Luo, Y. H. Jiang, Kun Zhou, et al.  IEEE Electron Device Letters, 2012, 33(7): 1042-1044

    [28]Xiaorong Luo, Tianfei Lei, Yuangang Wang, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2012, 59(2): 504-509

    [29]Xiao Rong Luo, Jin Yong Cai, Ye Fan, et al.IEEE Transactions on Electron Devices, 2011, 60(9): 2840-2846

    [30]Xiaorong Luo, Jie Fan, Yuangang Wang, et al.  IEEE Electron Device Letters, 2011, 32(2): 185-187

    [31]Xiaorong Luo, Yuangang Wang, Hao Deng, et al.  IEEE Transactions on Electron Devices, 2010, 57(2): 535-538

    [32]Xiaorong Luo, Bo Zhang, Tianfei Lei, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2010, 57(11): 3033-3034

    [33]Xiaorong Luo, Florin Udrea, Yuangang Wang, et al. IEEE Electron Device Letters, 2010, 31(6): 594-596

    [34]Xiaorong Luo, Tianfei Lei, Yuangang Wang, et al. IEEE Electron Device Letters, 2009, 30(10): 1093-1095

    [35]Xiaorong Luo, Daping Fu, Lei Lei, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2009, 56(8): 1659-1666

    [36]Bo Zhang, Zhaoji Li, Shengdong Hu, et al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2009, 56(10): 2327-2334

    [37]Xiaorong Luo, Zhaoji Li, Bo Zhang, et al. IEEE Electron Device Letters, 2008, 29(12):1-3

    [38]Xiaorong Luo, Bo Zhang, and Zhaoji Li.  IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 55(7): 1756-1761

    [39]Xiaorong Luo, Bo Zhang, Zhaoji Li, et al. IEEE Electron Device Letters, 2007, 28(5): 422-424

    [40]Wentong Zhang*, Lu Li, Ming Qiao, Zhenya Zhan, Shikang Cheng, Sen Zhang, Boyong He, Xiaorong Luo, Zhaoji Li, Bo Zhang, IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(7): 1151 - 1154.

    [41]Wentong Zhang*, Zhenya Zhan, Yang Yu, Shikang Cheng, Yan Gu, Sen Zhang, Xiaorong Luo, Zehong Li, Ming Qiao, Zhaoji Li, and Bo Zhang. IEEE Electron Device Letters, 2017, 38(11): 1555-1558 

    [42]Wentong Zhang*, Bo Zhang, Ming Qiao, Zehong Li, Xiaorong Luo and Zhaoji Li. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64(1): 217-223

    [43]Wentong Zhang*, Bo Zhang, Ming Qiao, Zehong Li, Xiaorong Luo and Zhaoji Li.  IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64(1): 224-230

    [44]Wentong Zhang*, Bo Zhang, Ming Qiao, Zehong Li, Xiaorong Luo and Zhaoji Li,IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 63, no. 5, pp. 1984-1990, May. 2016


    重要国际会议论文

    [1]Jie Wei, Zhen Ma, Xiaorong Luo, Congcong Li, Gaoqiang Deng, Hua Song, Kaiwei Dai, Yanjiang Jia, Dezun Liao, Sen Zhang, and Bo Zhang. ISPSD, Nagoya, 2021

    [2]Xiaorong Luo, Sen Zhang, Jie Wei, Diao Fan; Bo Zhang, ISPSD, Vienna, 2020.

    [3]C. Yang, X. R. Luo, T. Sun, et al. CS MANTECH, Minneapolis, 2019, 18.13

    [4]ChaoYang, Xiaorong Luo, Tao Sun, et al. ISPSD, Shanghai, 2019, 367-370.

    [5]Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo, Kun Zhou, et al. ISPSD,Shanghai, 2019, 359-362.

    [6]Kun Zhou, Tao Sun, Qing Liu, et al. ISPSD, Sapporo, 2017, 315-318.

    [7]Xiaorong Luo, Weiwei Ge, Bo Zhang. International Conference on ASIC, Guiyang, 2017, 468-471.邀请报告

    [8]Gaoqiang Deng, Xiaorong Luo, Kun Zhou, et al. ISPSD, Sapporo, 2017, 127-130.

    [9]Chao Yang, Jun-Feng Wu, Fu Peng, et al. ICSICT, Hangzhou, 2016.

    [10]Jie Wei, Xiaorong Luo, Da Ma, et al. ISPSD, Prague, 2016, 171-174.  

    [11]Jie Wei, Xiaorong Luo, Yanhui Zhang, et al. ISPSD, Hong Kong, 2015, 185-188.

    [12]Jie Wei, Xiaorong Luo, Xianlong Shi, et al. ISPSD, Waikoloa, HI, 2014, 127-130.

    [13]Kun Zhou, Xiaorong Luo, Qing Xu, et al. ISPSD, Waikoloa, HI, 2014, 189-192. 

    [14]Xiaorong Luo, Kun Zhou, Zhaoji Li, et al. ICSICT, Guilin, 2014, 1784-1787.邀请报告

    [15]Xiaorong Luo, Y G Wang, T F Lei, et al. ISPSD, Diego, CA, 2011, 76-79.

    [16]Xiaoming Yang, Bo Zhang, Xiaorong Luo. ICSICT, Shanghai, 2010.

    [17]Xiaorong Luo, Tianfei Lei, Yuangang Wang, et al. ISPSD, Hiroshima, 2010, 265-268.

    [18]Jie Fan, Bo Zhang, Xiaorong Luo, et al. ICSICT, Shanghai, 2010.

    [19]Xiaorong Luo, Yuangang Wang, Guoliang Yao, et al. ICSICT, Shanghai, 2010.

    [20]Lei Lei, Xiaorong Luo, Zhan Zhan, et al.ICSICT, Beijing, 2008.

    [21]Wentong Zhang*, Song Pu, Chunlan Lai, Li Ye, Shikang Cheng, Sen Zhang, Boyong He, Zhuo Wang, Xiaorong Luo, Ming Qiao, Zhaoji Li, and Bo Zhang,  ISPSD , pp. 475-478, May. 2018. (Oral).

    [22]Wentong Zhang*, Ming Qiao, Lijuan Wu, Ke Ye, Zhuo Wang, Zhigang Wang, Xiaorong Luo, Sen Zhang, Wei Su, Bo Zhang, and Zhaoji Li, ISPSD , pp. 329-332, May. 2013. (Oral).


    其它国内外重要期刊(未更新) 

    [1] Xiaorong Luo*, Wei Zhang, Zhaoji Li, et al.  Semiconductor Science and technology, 2008, 23 (3):No.035028. 

    [2] Xiaorong Luo*, Bo Zhang, Zhaoji Li. Solid-State Electronics, 2007,51:493-499. 

    [3] Xiaorong Luo*, Bo Zhang, Zhaoji Li.  Electronics Lett. 2008, 44 (1). 入选Electronics Letters大中华地区“精选特刊”,该特刊从大中华地区于2005-2008年期间在Electronics Letters发表的论文中精选 

    [4] Xiaorong Luo *, Luo Yin-Chun, Fan Ye, et al., Chin. Phys. B, 22(2), 027304, 2013. 

    [5] Xiaorong Luo *, Wang Qi, Yao Guo-Liang, Chin. Phys. B, 22 (2), 027303, 2013. 

    [6] Xiaorong Luo *, Guoliang Yao, Yuangang Wang, et al,Chin. Phys. B, 21(2), 068501, 2012. 

    [7] Xiaorong Luo *, Yuangang Wang, Deng Hao, and Florin Udrea,  Chinese Physics B, 19(7), 077306-1-6, 2010. 

    [8] Xiaorong Luo *, Guoliang Yao, Yuangang Wang, et al. Chinese Physics B, 20(2): 028501, 2011. 

    [9] Xiaorong Luo *, Tian Liao, Jie Wei, et al. Journal of Semiconductors,2019,40(5).

    [10] Xiaorong Luo *, Ke Zhang, Xu Song, et al.  Journal of Semiconductors, 2020, 41(10).

    [11] Chao Yang, Xiaorong Luo *, Tao Sun, et al.  Nanoscale Research Letters, 2019, 14:191.

    [12] Diao Fan, Xiaorong Luo *, Jie Wei, et al.Semiconductor Science and Technology, 2020,35:045005.

    [13] Tao Sun, Xiaorong Luo *, Jie Wei. et al.Nanoscale Res. Lett. (2020) 15: 149.

    [14] Xu Song, Xiaorong Luo *, Jie Wei, et al. Semiconductor Science and Technology, 2020,35: 085025.

    [15] Wang pei, Xiaorong Luo *, Chin. Phys. B, 22(2), 027305, 2013. 

    [16] Zhou Kun, Xiaorong Luo *, Yuanhang Fan, et al, Chin. Phys. B, 067306, 2013. 

    [17] Yuanhang Fan, Xiaorong Luo *, Wang Pei, Zhou Kun, et al, Chin. Phys. Lett, 30(8), 088503, 2013. 

    [18] 王骁玮,罗小蓉*,尹超 等,物理学报,v62, n23. 

    [19] Xianlong Shi, Xiaorong Luo *, Wei Jie, et al.  Chin. Phys. B Vol. 23, No. 12 (2014) 127303. 该论文在编辑部网站 “Highlights”专栏(http://cpb.iphy.ac.cn/)并将在CPB国外合作发行商英国物理学会出版社(IOPP)网站的 "Featured Articles ”专栏(http://iopscience.iop.org/cpb/ )发表. 

    [20] Yinchun Luo, Xiaorong Luo *, Gangyi Hu, et al.Chin. Phys. B Vol. 23, No. 7 (2014) 077306. 

    [21] Pengcheng Li, Xiaorong Luo *, Yinchun Luo, et al.Chin. Phys. B Vol. 24, No. 4 (2015) 047304. 

    [22] Wang Zhuo, Pengcheng Li, Zhang Bo, Yuanhang Fan, Qing Xu, Xiaorong Luo *,  CHIN. PHYS. LETT. Vol. 32, No. 6 (2015) 068501. 

    [23] Yuangang Wang, Xiaorong Luo *, Ge Rui, et al.Chin. Phys. B, 077304, 2011. 功率半导体领域顶级国际会议


    (二)发明专利 6项美国授权专利 71项中国授权专利 

    [1] Xiaorong Luo, Florin Udrea, SOI Lateral MOSFET Devices, US patent, 8,716,794 B2; 

    [2] Xiaorong Luo, Guoliang Yao, Tianfei Lei, et al. Trench-type semiconductor power devices, US patent, 8,890,280 B2

    [3] Xiaorong Luo, Jiayun Xiong,Chao Yang, et al.ENHANCEMENT MODE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR, US patent, 9,431,527 B1

    [4] Xiaorong Luo, Weiwei Ge, Junfeng Wu, et al. A KIND OF POWER TRI-GATE LDMOS, US patent, 9,620,638 B1

    [5] Xiaorong Luo, Gaoqiang Deng, Kun Zhou, et al. REVERSE CONDUCTING IGBT, US patent, 10,340,373 B2

    [6] Xiaorong Luo, Fu Peng, Chao Yang, et al. POLARIZATION-DOPED ENHANCEMENT MODE HEMT, US patent, 10,304,931 B2

    [7] 罗小蓉,姚国亮,雷天飞等,槽型半导体功率器件,专利号:ZL201010610944.2

    [8] 罗小蓉,姚国亮,雷天飞等, SOI横向MOSFET器件和集成电路,专利号:ZL201110003586.3

    [9] 罗小蓉,王元刚,姚国亮等,具有延伸沟槽的超结半导体器件的制造方法,专利号:ZL201110051878.4

    [10] 罗小蓉,姚国亮,王元刚等,超结结构和超结半导体器件的制造方法,专利号:ZL201110051879.9

    [11] 罗小蓉,王元刚,姚国亮等,一种槽型纵向半导体器件的制造方法,专利号:ZL201110075550.6

    [12] 罗小蓉,姚国亮,王元刚等,一种具有高K介质槽的半导体功率器件,专利号:ZL201110075604.9

    [13] 罗小蓉,周坤,姚国亮等,一种双栅功率MOSFET器件,专利号:ZL201210179867.9

    [14] 罗小蓉,蒋永恒,蔡金勇等,槽栅半导体功率器件,专利号:ZL201210220695.5

    [15] 罗小蓉,王沛,蔡金勇等, 一种槽型半导体功率器件的制造方法,专利号:ZL201210226462.6

    [16] 罗小蓉,王沛,范叶等, 一种槽型半导体功率器件,专利号:ZL201210226454.1

    [17] 罗小蓉,周坤,范叶等, 纵向功率半导体器件的制造方法,专利号:ZL201210306150.6

    [18] 罗小蓉,罗尹春,周坤等, 一种SOI基PMOSFET功率器件,专利号:ZL201210441287.2

    [19] 罗小蓉,罗尹春,范远航等, 一种具有结型场板的SOI功率LDMOS器件,专利号:ZL201310202568.7

    [20] 罗小蓉,魏杰,罗尹春等, 一种具有结型场板的功率LDMOS器件,专利号:ZL201310202668.X

    [21] 罗小蓉,王骁玮,范叶等, 一种横向SOI功率半导体器件,专利号:ZL201310346866.3

    [22] 罗小蓉,田瑞超,徐菁等,具有U型延伸栅的SOI槽型LDMOS器件,专利号:ZL201410142967.3

    [23] 罗小蓉,李鹏程,田瑞超等,一种槽型积累层MOSFET器件,专利号:ZL201410142500.9

    [24] 罗小蓉,李鹏程,田瑞超等,一种槽型横向MOSFET器件的制造方法,专利号:ZL201410143064.7

    [25] 罗小蓉,田瑞超,魏杰等, 一种横向SOI功率LDMOS器件,专利号:ZL201410439282.5

    [26] 罗小蓉,熊佳云,杨超等, 一种用于GaN基HEMT器件的自适应偏置场板,专利号:ZL201410471520.0

    [27] 罗小蓉,杨超,熊佳云等, 一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件,专利号:ZL201410851598.5

    [28] 罗小蓉,刘建平,张彦辉等, 一种横向MOSFET器件的制造方法,专利号:ZL201510410002.2

    [29] 罗小蓉,张彦辉,刘建平等, 一种LDMOS器件的制造方法,专利号:ZL201510408917.X

    [30] 罗小蓉,张彦辉,刘建平等,一种LDMOS器件的制造方法2,专利号:ZL201510410157.6

    [31] 罗小蓉,熊佳云,杨超等,一种增强型HEMT器件,专利号:ZL201510456018.7

    [32] 罗小蓉,杨超,熊佳云等,一种具有结型半导体层的HEMT器件,专利号:ZL201510456005.X

    [33] 罗小蓉,尹超,谭桥等,一种功率MOS器件,专利号:ZL201510556581.1

    [34] 罗小蓉,阮新亮,周坤等,一种短路阳极横向绝缘栅双极型晶体管,专利号:ZL201510936970.7

    [35] 罗小蓉,阮新亮,周坤等,一种SA-LIGBT,专利号:ZL201510937715.4

    [36] 罗小蓉,吕孟山,尹超等,一种槽栅功率MOSFET器件,专利号:ZL201610015326.0

    [37] 罗小蓉,吕孟山,尹超等,一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件,专利号:ZL201610333480.2

    [38] 罗小蓉,邓高强,周坤等,一种横向IGBT,专利号:ZL201610344066.1

    [39] 罗小蓉,杨超,吴俊峰等,一种积累型垂直HEMT器件,专利号:ZL201610432032.8

    [40] 罗小蓉,黄琳华,周坤等,一种具有超结的RB-IGBT,专利号:ZL201610513921.7

    [41] 罗小蓉,葛薇薇,吴俊峰等,一种三栅功率LDMOS,专利号:ZL201610554363.9

    [42] 罗小蓉,邓高强,周坤等,一种逆导型IGBT(1),专利号:ZL201610786927.1

    [43] 罗小蓉,邓高强,周坤等,一种逆导型IGBT(2),专利号:ZL201610786770.2

    [44] 罗小蓉,黄琳华,邓高强等,一种具有双栅的RC-IGBT,专利号:ZL201610812713.7

    [45] 罗小蓉,张凯,孙涛等,一种碳化硅VDMOS器件,专利号:ZL201710137017.5

    [46] 罗小蓉,张波,李肇基等,一种具有窗口的双介质SOI耐压结构及其SOI功率器件,专利号:ZL200610022119.4

    [47] 罗小蓉,张伟,詹瞻等,基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构,专利号:ZL200910058145.6

    [48] 罗小蓉,张伟,邓浩等,在厚膜SOI材料中形成图形化半导体埋层的方法,专利号:ZL200910058291.9

    [49] 罗小蓉,黄磊,付达平等,双面介质槽部分SOI材料的制备方法,专利号:ZL200910058508.6

    [50] 罗小蓉,弗罗林·乌德雷亚(外),SOI横向MOSFET器件,专利号:ZL201010173833.X

    [51]罗小蓉,彭富,杨超等,一种具有高K介质槽的纵向增强型MIS HEMT器件,专利号:ZL201610902631.1

    [52]罗小蓉,彭富,杨超等,一种具有N型浮空埋层的RESURF HEMT器件,专利号:ZL201710137633.0

    [53]罗小蓉,张凯,孙涛等,一种碳化硅VDMOS器件,专利号:ZL201710137017.5

    [54]罗小蓉,赵哲言,邓高强等,一种短路阳极SOI LIGBT,专利号:ZL201710439235.4

    [55]罗小蓉,彭富,杨超等,一种极化掺杂增强型HEMT器件,专利号:ZL201710222890.4

    [56]罗小蓉,孙涛,黄琳华等,一种具有载流子存储层的槽型SOI LIGBT,专利号:ZL201720523833.5

    [57]罗小蓉,魏杰,黄琳华等,一种具有可控阳极槽的横向 SOI SA-IGBT,专利号:ZL201721104029.X

    [58]罗小蓉,杨洋,孙涛等,一种具有载流子存储层薄SOI LIGBT器件,专利号:ZL201721232526.8

    [59]罗小蓉,刘庆,黄琳华等,一种逆阻型IGBT,专利号:ZL201721552279.X

    [60]罗小蓉,刘庆,魏杰等,一种逆阻型IGBT,专利号:ZL201721551911.9

    [61]罗小蓉,赵哲言,黄琳华等,一种槽栅短路阳极SOI LIGBT,专利号:ZL201810224788.2

    [62]罗小蓉,邓高强,孙涛等,一种横向IGBT的制造方法,专利号:ZL201810207164.X

    [63]罗小蓉,杨洋,魏杰等,一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT,专利号:ZL201810113223.7

    [64]罗小蓉,杨洋,孙涛等,一种具有快速关断特性的SOI LIGBT,专利号:ZL201810113221.8

    [65]罗小蓉,李聪聪,樊雕等,一种超低功耗薄层高压功率器件,专利号:ZL201910805845.0

    [66]罗小蓉,樊雕,李聪聪等,一种短路阳极薄层高压功率器件,专利号:ZL201910805725.0

    [67]魏杰,马臻,黄俊岳等,一种多槽栅横向高压功率器件制造方法,专利号:ZL201910805736.9

    [68]魏杰,黄俊岳,马臻等,一种高速低损耗的多槽栅高压功率器件,专利号:ZL201910805724.6

    [69]罗小蓉,王晨霞,鲁娟等,一种高速低功耗高压功率器件,专利号:ZL201910805741.X

    [70]罗小蓉,张森,苏伟等,一种高耐压低损耗超结功率器件,专利号:ZL201910806274.2

    [71]罗小蓉,孙涛,欧阳东法等,一种垂直GaN功率二极管,专利号:ZL202010040170.8

    [72]罗小蓉,孙涛,欧阳东法等,一种具有集成续流二极管的纵向GaN MOS,专利号:ZL202010051717.4

    [73]罗小蓉,欧阳东法,郗路凡等,一种具有集成续流二极管的GaN 纵向场效应晶体管,专利号:ZL202010051716.X

    [74]罗小蓉,孙涛,魏杰等,一种具有载流子存储层的三栅薄SOI LIGBT,专利号:ZL201810042181.2

    [75]魏杰,马臻,郗路凡等,一种集成齐纳二极管的SOI LIGBT器件,专利号:ZL202010901059.3

    [76]魏杰,郗路凡,马臻等,一种集成有齐纳二极管和集电极PMOS结构的功率器件,专利号:ZL202010898990.0

    [77]魏杰,郗路凡,马臻等,一种具有自适应性的SOI LIGBT器件,专利号:ZL202010899021.7



    其他联系方式

    邮编 :

    通讯/办公地址 :

    办公室电话 :

    邮箱 :

    教育经历

    1992.9 -- 1996.6
    四川师范学院       物理       大学本科毕业       理学学士学位

    1998.9 -- 2001.6
    四川大学       凝聚态物理       硕士研究生毕业       理学硕士学位

    2002.9 -- 2007.12
    电子科技大学       微电子学与固体电子学       博士研究生毕业       工学博士学位

    工作经历

    2018.7 -- 至今

    电子科技大学人力资源部教师发展中心      主任

    2017.12 -- 2018.6

    电子科技大学电子科学与技术学院(示范性微电子学院)      教师

    2001.7 -- 2017.11

    电子科技大学微电子与固体电子学院      教师

    1996.7 -- 1998.7

    四川省北川民族中学      中学教师