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    易波

    • 讲师
    • 性别:男
    • 毕业院校:电子科技大学
    • 学历:博士研究生毕业
    • 学位:工学博士学位
    • 在职信息:因公出国
    • 所在单位:电子科学与工程学院(示范性微电子学院)
    • 学科:微电子学与固体电子学
    • 办公地点:211楼1-04
    • 联系方式:

    访问量:

    开通时间:..

    最后更新时间:..

    个人简介

    教育经历:

    2008.09-2012.06-电子科技大学-学士-微电子学

    2012.09-2016.12-电子科技大学-博士-微电子学与固体电子学-导师-陈星弼院士

    2017.02留校工作-讲师

    科研:

    Ø  作为负责人主持国家自然科学基金项目一项;

    Ø  作为负责人主持省部级项目一项;

    Ø  作为负责人主持中央高校科研启动项目一项;

    Ø  参与国家自然科学基金项目两项;

    Ø  担任行业顶级期刊IEEE Transactions on Power Electronics, IEEE Transactions on Electron Devices IEEE  Electron Device Letters等期刊的审稿人。

    教学:

    Ø  曾担任《电路分析基础》,《微电子学》,《信号与系统》等课程助教,深入学习优秀老师的上课技巧;

    Ø  目前承担本科生《电路分析与电子线路》课程的教学工作。教学中注重与学生互动,注重理论与实际结合,培养学生电路分析的基本能力;

    Ø  201712月微固学院举办的"卓越青年教师成长计划"中获得“教学进步奖”;

    Ø  2018年电子学院举办的"卓越青年教师成长计划"中获得“教学进步奖”;

    研究领域:

    主要研究新型功率器件和功率集成电路,包括IGBTSuper-Junction devicesLDMOS等。

    学术成果:

    在国际顶级期刊IEEE Transactions on Power Electronics, IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices等发表SCI文二十余篇2JCR 1区顶级期刊以及篇行业顶级期刊IEEE Transactions on Electron Devices,  IEEE  Electron Device Letters),在国际顶级会议IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)等发表国际会议7篇,申请中国专利十余项(第一发明人)。

    部分学术成果:

    [1]     Bo. Yi, J. Lin, B. K. Zhang et al. “Simulation Study of a novel Snapback Free Reverse-Conducting SOI-LIGBT with Embedded P-type Schottky Barrier Diode,” IEEE Transactions on Electron Devices, 2020.

    [2]     Bo. Yi, X. T. Xie, M. F. Kong et al. “A Novel Diode-Clamped Carrier Stored Trench IGBT With Improved Performances,” IEEE Transactions on Electron Devices, 2020.

    [3]     B. Yi, J. Lin, H. Hu et al. “Simulation Study of a Novel Thin layer SOI Carrier-Stored TLIGBT with self-biased pMOS”, Semiconductor Science and Technology, accepted, 2019.

    [4]     B. Yi, J. Lin, J. Y. Wu et al. “An Novel Thin Layer SOI Carrier-Stored Trench LIGBT with Enhanced Emitter Injection”, IEEE Journal of the Electron Devices Society, vol. 7, no. 1, pp. 936-942, 2019.

    [5]     B. Yi, M. F. Kong, J. Lin, J. J. Cheng, H. M. Huang and X. B. Chen, “A 600 V Super-Junction p-LDMOS with Auto-controlled Electron Current to Enhance Current Capability,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 66, no. 5, pp. 2314 - 2320, 2019.

    [6]     B. Yi, Y. F. Peng, Q. Zhao et al. “Simulation study of an ultra-low specific on-resistance high-voltage pLDMOS with self-biased accumulation layer”, IEICE Electronics, 2019.

    [7]     B. Yi, J. J. Cheng and X. B. Chen, “A High-voltage “Quasi-p-LDMOS” using Electrons as Carriers in Drift Region Applied for SPIC,” IEEE Trans. on Power Electronics, vol. 33, no. 4, pp. 3363 – 3374, 2018.

    [8]     B. Yi, M. F. Kong, J. J. Cheng, “Simulation Study of a p-LDMOS with Double Electron Paths to Enhance Current Capability,” IEEE Electron Device Letters, vol. 39, no. 11, pp. 1700 – 1703, 2018.

    [9]     B. Yi and X. Chen, “A 300 V Ultra Low Specific On-Resistance High-Side p-LDMOS with Auto-biased n-LDMOS for SPIC,” IEEE Trans. on Power Electronics, vol. 32, no. 1, pp. 551-560, 2017.

    [10]  B. Yi, J. J. Cheng, M. F. Kong and X. B. Chen, “A High-Voltage p-LDMOS with Enhanced Current Capability Comparable to Double RESURF n-LDMOS,” in Proc. ISPSD, pp. 148-151, May. 2018.

    [11]  B. Yi, Z. Lin and X. B. Chen, “Snapback-free reverse-conducting IGBT with low turnoff loss,” Electronics Letters, vol. 50, no. 9, pp. 703-705, 2014.

    [12]  B. Yi, Z. Lin and X. B. Chen, “Study on HK-VDMOS with Deep Trench Termination,” Superlattices and Microstructures, vol. 75, pp. 278-286, 2014.

    [13]  B. Yi, H. Hu, J. Lin, et al. “SiC trench MOSFET with integrated side-wall schottky barrier diode having P+ electric field shield,” IEICE Electronics Express, vol. 16, no. 5, pp. 1-10, 2019.

    [14]     B. Yi, M. F. Kong, P. Li, et al. “A New Carrier Stored Trench IGBT Realizing Both Ultra Low Von and Turn-off loss”, in Proc. IEEE 13th Power Electronics and Drive Systems, Jul. 2019.

    [15]     B. Yi, X. Lyu, and X. B. Chen, “A New Super-Junction VDMOS Realizing Fast Reverse Recovery,” in Proc. IEEE 11th Power Electronics and Drive Systems, Jun. 2015.

     

    学生培养:指导本科生毕设、创新训练项目两项以及协助指导多名硕士研究生。


    其他联系方式

    邮箱 :

    教育经历

    2008.9 -- 2012.7
    电子科技大学       微电子学       大学本科毕业       理学学士学位

    2012.9 -- 2016.12
    电子科技大学       微电子与固体电子学       博士研究生毕业       工学博士学位

    工作经历

    2017.12 -- 至今

    电子科技大学电子科学与技术学院(示范性微电子学院)      专任教师

    2017.2 -- 2017.11

    电子科技大学微电子与固体电子学院      专任教师

    研究方向

  • 功率集成电路;新型半导体功率器件

  • 团队成员

    新器件研究室