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    易波

    • 副教授 硕士生导师
    • 性别:男
    • 毕业院校:电子科技大学
    • 学历:博士研究生毕业
    • 学位:工学博士学位
    • 在职信息:在岗
    • 所在单位:电子科学与工程学院(示范性微电子学院)
    • 学科:微电子学与固体电子学
    • 办公地点:211楼1-04

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    个人简介

    易波, 男, 四川崇州人,电子科技大学 — 电子科学与工程学院 — 副教授、硕士生导师


    教育经历:

    2008.09-2012.06 — 电子科技大学 — 学士 — 微电子学

    2012.09-2016.12 — 电子科技大学 — 博士 — 微电子学与固体电子学导师中国功率器件领路陈星弼院士

    2017.02-2017-12 — 微电子与固体电子学院  讲师

    2018.01-2021-04 — 电子科学与工程学院  讲师

    2021.05-至今 — 电子科学与工程学院  副教授

    2020.02-2021.02 — 加拿大 — 多伦多大学  国家公派访问学者


    科研:主持和参与国家级、省部级、校企项目10余项,包括:

    Ø  作为负责人主持国家自然科学基金项目一项;

    Ø  作为负责人主持国家博士后面上基金项目一项;

    Ø  作为负责人主持省部级项目一项;

    Ø  作为负责人主持中央高校基本科研业务费项目一项;

    Ø  主持校企合作课题3项;

    Ø  作为主要参与者承担国家级、省部级项目三项;

    Ø  参与其他国家级项目多项;

    Ø  参与其他省部级项目多项;


    教学:

    Ø  曾担任《电路分析基础》,《微电子学》,《信号与系统》等课程助教,深入学习优秀老师的上课技巧;

    Ø  承担本科生《电路分析与电子线路》课程的教学工作,评教五星,获得学生普遍好评。教学中注重与学生互动,注重理论与实际结合,培养学生电路分析的基本能力;

    Ø  承担校级新生教改项目一项;

    Ø  201712月微固学院举办的"卓越青年教师成长计划"中获得“教学进步奖”;

    Ø  2018年电子学院举办的"卓越青年教师成长计划"中获得“教学进步奖”;


    研究领域:

          Ø 主要研究新型功率半导体芯片,包括宽禁带半导体器件 (SiC JBS, SiC MOSFET, GaN HEMT, Ga2O3) 以及硅基IGBTSGT,功率MOSFET等。


    学术论文:

          Ø 国际顶级期刊IEEE Transactions on Power Electronics (中科院1区), IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices, Semiconductor Science and Technology发表SCI文30余篇,在国际顶级会议IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), IEEE International Conference on Power Electronics and Drive Systems (PEDS), IEEE International Conference on ASIC (IEEE ASICON)发表EI国际会议10余篇,并多次在国际会议做口头学术报告。


    发明专利:

          Ø 申请第一发明人中国发明专利20余项,授权14项,并实施转让4项。


    学生培养:

      Ø 指导本科生申请大学生校级创新项目多项,项目获韫慧奖学金、校级优秀

      Ø 指导本科生发表学生一作SCI论文、IEEE国际会议多篇,申请中国发明专利多项;

      Ø指导多名硕士研究生毕业,指导的学生获学业一等奖学金、中国宋庆龄基金会·中芯国际孟宁奖学金、获得“校级优秀研究生”和“优秀学位论文”。


    招生专业和方向

     Ø 研究方向:新型半导体功率器件、宽禁带功率半导体器件、新型半导体功率器件与集成


     Ø 部分研究成果(已完成):

      

               Ga2O3 Schottky diode and test                                        IGBT chip

        

                         HV device and IC                                       HV power MOSFET and test


     Ø 部分流片中课题:

    1. 具有XXX的GaN HEMT的研究;

    2. 具有XXX高性能SiC MOSFET的研究;



    学术兼职:

      Ø 担任行业顶级期刊IEEE Transactions on Power Electronics, IEEE Transactions on Electron Devices,  IEEE  Electron Device Letters等期刊的审稿人。

    其他联系方式

    邮箱 :

    教育经历

    2020.2 -- 2021.2
    多伦多大学       国家公派访问学者

    2012.9 -- 2016.12
    电子科技大学       微电子与固体电子学       博士研究生毕业       工学博士学位

    2008.9 -- 2012.7
    电子科技大学       微电子学       大学本科毕业       理学学士学位

    工作经历

    2017.12 -- 至今

    电子科技大学电子科学与技术学院(示范性微电子学院)      专任教师

    2017.2 -- 2017.11

    电子科技大学微电子与固体电子学院      专任教师