李含冬
个人信息Personal Information
教授 博士生导师
性别:男
毕业院校:中国科学院物理研究所
学历:博士研究生毕业
学位:理学博士学位
在职信息:在岗
所在单位:材料与能源学院
学科:材料物理与化学
办公地点:沙河校区计算机楼东102
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一种以Bi2Se3薄膜为接触层的硅肖特基结及制备方法
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专利类型:发明
专利状态:授权专利
授权号:ZL201310335909.8
是否职务专利:否