李含冬
个人信息Personal Information
教授 博士生导师
性别:男
毕业院校:中国科学院物理研究所
学历:博士研究生毕业
学位:理学博士学位
在职信息:在岗
所在单位:材料与能源学院
学科:材料物理与化学
办公地点:沙河校区计算机楼东102
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一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法
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专利类型:发明
专利状态:待批专利
申请号:CN201611202065.X
是否职务专利:否