李含冬

个人信息Personal Information

教授 博士生导师

性别:男

毕业院校:中国科学院物理研究所

学历:博士研究生毕业

学位:理学博士学位

在职信息:在岗

所在单位:材料与能源学院

学科:材料物理与化学

办公地点:沙河校区计算机楼东102

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专利

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一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法

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专利类型:发明

专利状态:待批专利

申请号:CN201611202065.X

是否职务专利: