王成

个人信息Personal Information

教授 博士生导师

性别:男

毕业院校:Massachusetts Institute of Technology

学历:博士研究生毕业

学位:哲学博士学位

在职信息:在岗

所在单位:电子科学与工程学院

入职时间:2021-02-20

学科:电路与系统

办公地点:清水河校区科研4号楼A区232房间

曾获荣誉:2020, IEEE SSCS Predoctoral Achievement Award
2019, MIT MTLDoctoral Dissertation Seminar
2018, 2018年度国家优秀自费留学生奖学金
2016, ADI Outstanding Student Designer Award
2012,军队武器装备科技进步一等奖(排名第三)

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论文成果

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29.5 Sub-THz CMOS molecular clock with 43ppt long-term stability using high-order rotational transition probing and slot array couplers

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发表刊物:2020 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)

刊物所在地:San Francisco, CA

全部作者:Xiang Yi,Mina Kim

第一作者:Cheng Wang

论文类型:会议论文

通讯作者:Ruonan Han

学科门类:工学

一级学科:电子科学与技术

页面范围:448-449

是否译文:

发表时间:2020-02-01

发表时间:2020-02-01