个人信息

  • 教师姓名：杜江锋

  • 教师拼音名称：Du Jiangfeng

  • 电子邮箱：jfdu@uestc.edu.cn

  • 学历：博士研究生毕业

  • 办公地点：电子科技大学清水河校区成电国际创新中心A410

  • 性别：男

  • 学位：工学博士学位

  • 职称：教授

  • 博士生导师

  • 学科：电子与信息
    微电子学与固体电子学
    集成电路工程

其他联系方式

  • 通讯/办公地址：

  • 邮箱：

论文成果

Zhiyuan Bai, Jiangfeng Du*, Qi Xin, Ruonan Li, Qi Yu. "Simulation design of high reverse blocking high-K/low-K compound passivation AlGaN/GaN Schottky barrier diode with gated edge termination", Superlattices and Microstructures, 111:1000-1009 (2017) . (SCI)

发布时间：2019-01-21  点击次数：

是否译文：否

上一条：Jiangfeng Du*, Ruonan Li, Zhiyuan Bai, Yong Liu, Qi Yu. "High breakdown voltage GaN-on-insulator based heterojunction field effect transistor with a partial back barrier layer" , Superlattices and Microstructures, 111:760-766 (2017) . (SCI)

下一条：Jiangfeng Du, Kang Wang, Yong Liu, Zhiyuan Bai, Yang Liu, Zhihong Feng, Shaobo Dun, Qi Yu. "Influence of mesa edge capacitance on frequency behavior of millimeter-wave AlGaN/GaN HEMTs", Solid-State Electronics, 129:1-5, (2017) (SCI)

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