上一条：中国发明专利：王怀昌，付永启，杨俊, 一种基于石墨烯墙/硅复合异质结的光电探测器及其制备方法。申请号：201911010071.9。

下一条：中国发明专利: 付永启，崔颂雅，游依莎，赵康伊，基于重离子径迹技术的超表面纳米天线阵列的制造方法及应用。授权日期：2020年4月21日（申请号：201810511602.1，授权号:CN108647467B，专利号：ZL201810511602.1）。