电子科技大学电子科学与工程学院副教授，主要从事石墨烯薄膜可控制备、表征及应用研究；发表论文30余篇；申请受理发明专利20项，授权8项；合著专著1部；主持或主研国家自然科学基金面上项目、国家自然科学基金青年基金项目、军科委173重点项目、**科技创新特区项目、四川省科技计划应用基础研究项目等多项国家及省部级项目。

       代表性学术成果包括：（1）针对铜基底化学气相沉积法制备石墨烯薄膜晶粒尺寸、缺陷、稳定性等方面仍缺乏可控性的问题，系统研究了铜沉积污染、系统中碳污染、以及铜基底中碳杂质等因素对设备稳定性和可靠性以及石墨烯生长动力学过程的影响，揭示了铜、碳污染等对石墨烯缺陷形成的作用机制，明确了石墨烯在铜表面的外延生长机制，并发展了一种适用于多种铜晶向的多核法制备大面积石墨烯单晶的方法，对石墨烯薄膜可控制备技术的发展具有极大的促进作用。相关成果申请人相继以第一作者或共同通讯作者发表在2D Materials、Carbon和Materials Today上，其中部分成果申请人在2016年美国先进材料大会（American Advanced Materials Congress 2016（AAMC））上进行了宣讲，受到参会人员的广泛关注，申请人也由于该项工作的创新性和重要意义而获得“IAAM Scientist Medal-2016”奖。（2）发展了一种简单普适地评价石墨烯电输运性能的方法。该方法通过对范德堡-霍尔测量方法进行修正，可直接对转移在绝缘基底上的石墨烯薄膜进行测量，避免了后续的器件制备过程以及由此对材料性能（引入缺陷及污染）的影响，方便快捷，有望成为一种石墨烯薄膜评价的标准。相关工作申请人以第一作者发表在Science Bulletin上。（3）针对大面积高质量石墨烯的洁净转移问题，申请人对由于转移而引入的各种污染物及其对石墨烯性质的影响、如何抑制污染物的引入或如何将其有效地去除、现阶段石墨烯洁净转移所存在的挑战、以及其未来的研究方向和机遇都进行了深入的研究，相关工作申请人以第一作者和通讯作者发表在Nanoscale和Acta Physica Sinica上。