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    周琦

    • 教授 博士生导师
    • 性别:男
    • 毕业院校:香港科技大学
    • 学历:博士研究生毕业
    • 学位:哲学博士学位
    • 在职信息:在职人员
    • 所在单位:集成电路科学与工程学院(示范性微电子学院)
    • 职务 : Porfessor
    • 学科:微电子学与固体电子学
    • 曾获荣誉:中国电子学会优秀科技工作者(2017)
      四川省电子学会“电子科学技术奖”一等奖(2015)

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    研究领域

    研究方向1:高性能GaN功率器件的失效机制研究

           目前,受限于III-V族材料复杂的材料特性,对GaN器件复杂失效机制研究尚不充分,GaN功率器件尚未完全发挥氮化镓材料性能优势。对于GaN功率器件击穿机制的研究和耐压技术的开发,始终是学术界和产业界共同关注的重要领域。

    研究方向2:GaN功率集成和GaN功率二极管

          开发GaN单片集成功率IC和相应的GaN功率二极管具有极高的研究意义和潜在市场价值。传统GaN肖特基二极管需要利用肖特基阳极控制二极管开启与关断,同时兼顾电流传导的双重功能。同时,肖特基阳极也很难和现有的增强型功率开关器件实现工艺兼容,不适于功率集成IC。课题组深入研究了GaN混合阳极二极管的结构优化和器件机理,以此为基础开发了相应的GaN功率集成技术。

    研究方向3:增强型GaN功率器件

         GaN增强型开关器件是目前研究的重点,其中p-GaN栅、凹槽栅GaN功率器件是实现增强型器件的一种技术方案而受到广泛的关注。目前,课题组对p-GaN栅、凹槽栅GaN功率器件研究包括了低损伤栅槽刻蚀技术,阈值电压调控机理和栅介质开发,形成了从工艺方法到器件机理的完整研究体系。

    研究方向4:高性能GaN垂直结构功率器件。

        基于异质结结构的GaN功率器件属于传统上的平面结构器件,对于发挥GaN材料性能优势存在天然的极限。垂直结构是发挥材料优势的理想形式,目前开发GaN垂直结构功率器件是学术界研究的热点。

    研究方向